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资料编号:39504
资料名称:
2SK1169
文件大小: 49.25K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel MOS FET
: 点此下载
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sk1169, 2sk1170
6
身体 至 流 二极管 反转
恢复 时间
di/dt = 100 一个/
µ
s, ta = 25°c
V
GS
= 0
脉冲波 测试
反转 流 电流 i
DR
(一个)
反转 恢复 时间 t
rr
(ns)
5,000
2,000
500
200
100
50
1,000
0.5
1.0
2
5
10
20
50
典型 电容
vs. 流 至 源 电压
100
01020304050
流 至 源 电压 v
DS
(v)
电容 c (pf)
Coss
Ciss
Crss
10
V
GS
= 0
f = 1 mhz
1,000
10,000
动态 输入 特性
500
400
300
200
100
0
40
80
120
160
200
门 承担 qg (nc)
流 至 源 电压 v
DS
(v)
20
16
12
8
4
0
门 至 源 电压 v
GS
(v)
V
DD
= 100 v
V
DD
= 400 v
250 v
250 v
V
DS
I
D
= 20 一个
400 v
V
GS
100 v
切换 特性
500
100
50
20
10
5
200
切换 时间 t (ns)
0.5
1.0
2
5
10
20
50
流 电流 i
D
(一个)
V
GS
= 10 v v
DD
= 30 v
pw = 2
µ
s, 职责
< 1%
t
d (止)
t
r
t
f
t
d (在)
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