特性
• 单独的 电源 供应 5v 运作 为 读, 擦掉 和
程序
• 快 进入 时间: 90/120ns
• 低 电源 消耗量
- 30ma 最大 起作用的 电流
- 0.2ua 典型 备用物品 电流
• command 寄存器 architecture
- 字节 程序编制 (7us 典型)
- sector 擦掉:32 equal sector 和 的 64kbyte 各自
• 自动 擦掉 (碎片 &放大; sector) 和 自动 程序
- automatically 擦掉 任何 结合体 的 sectors
和 擦掉 suspend 能力.
- automatically 程序 和 核实 数据 在 指定
地址
• 擦掉 suspend/擦掉 重新开始
- suspends 一个 擦掉 运作 至 读 数据 从,
或者 程序 数据 至, 另一 sector 那 是 不 正在
erased, 然后 重新开始 这 擦掉.
在 擦掉 和 程序编制, 当 维持
最大 非易失存储器 兼容性.
mxic flash 技术 reliably stores 记忆
内容 甚至 之后 100,000 擦掉 和 程序
循环. 这 mxic cell 是 设计 至 优化 这
擦掉 和 程序 mechanisms. 在 增加, 这
结合体 的 先进的 tunnel oxide 处理
和 低 内部的 electric 地方 为 擦掉 和
程序编制 行动 生产 可依靠的 cycling.
这 mx29f016 使用 一个 5.0v
±
10% vcc 供应 至
执行 这 高 可靠性 擦掉 和 自动
程序/擦掉 algorithms.
这 最高的 程度 的 获得-向上 保护 是
达到 和 mxic's 专卖的 非-epi 处理.
获得-向上 保护 是 proved 为 压力 向上 至
100 milliamps 在 地址 和 数据 管脚 从 -1v 至
vcc + 1v.
一般 描述
这 mx29f016 是 一个 16-mega 位 flash 记忆 有组织的
作 2m 字节 的 8 位. mxic's flash memories 提供 这
大多数 费用-有效的 和 可依靠的 读/写 非-易变的
随机的 进入 记忆. 这 mx29f016 是 packaged 在
40-管脚 tsop 或者 44-管脚 sop, 48-管脚 tsop. 它 是 设计
至 是 reprogrammed 和 erased 在 系统 或者 在 标准
非易失存储器 programmers.
这 标准 mx29f016 提供 进入 时间 作 快 作
90ns, 准许 运作 的 高-速 微处理器
没有 wait states. 至 eliminate 总线 contention, 这
mx29f016 有 独立的 碎片 使能 (ce) 和 输出
使能 (oe ) 控制.
mxic's flash memories augment 非易失存储器 符合实际
和 在-电路 电的 erasure 和 程序编制. 这
mx29f016 使用 一个 command 寄存器 至 manage 这个
符合实际. 这 command 寄存器 准许 为 100%
ttl 水平的 控制 输入 和 fixed 电源 供应 水平
• 状态 reply
- 数据 polling &放大; toggle 位 为 发现 的 程序
和 擦掉 循环 completion.
• 组 sector 保护/unprotect 为 5v/12v 系统.
• 组 sector 保护
- 硬件 sector 保护/unprotect 方法 为 各自
组 这个 组成 的 二 调整 sectors
- temporary 组 sector unprotect 准许 代号
改变 在 先前 锁 sectors
• 100,000 最小 擦掉/程序 循环
• 获得-向上 保护 至 100ma 从 -1v 至 vcc+1v
• 低 vcc 写 inhibit 是 equal 至 或者 较少 比 3.2v
• 包装 类型:
- 40-管脚 tsop, 44-管脚 sop, 48-pin tsop
• 兼容性 和 电子元件工业联合会 标准
- 引脚 和 软件 兼容 和 单独的-电源
供应 flash
1
p/n:pm0590 rev. 1.3, 六月. 13, 2001
MX29F016
16m-位 [2m x 8] cmos equal sector flash 记忆
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