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资料编号:39512
资料名称:
2SK1296
文件大小: 38.99K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel MOS FET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK1296
50
1000
情况 温度 t
C
(°c)
150
50
频道 消耗 pch
(w)
电源 vs. 温度 减额
100
150
最大 safe 运作 范围
流 电流 i
D
(一个)
100
µ
s
1 ms
pw = 10 ms (1 shot)
直流 运作 (t
C
= 25°c)
ta = 25°c
10
µ
s
运作 在 这个 范围
是 限制 用 r
ds (在)
301031.00.3
500
100
50
10
5
0.1
200
20
2
1.0
0.5
100
流 至 源 电压 v
DS
(v)
典型 输出 特性
6
流 至 源 电压 v
DS
(v)
84
2 10
流 电流 i
D
(一个)
0
10
20
30
40
0
50
V
GS
= 2.5 v
脉冲波 测试
15 v
5 v
4 v
3 v
3.5 v
10 v
典型 转移 特性
3
门 至 源 电压 v
GS
(v)
421
05
10
20
30
40
50
0
流 电流 i
D
(一个)
T
C
= 25°c
75°C
V
DS
= 10 v
脉冲波 测试
–25°C
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