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资料编号:39515
 
资料名称:2SK1299L
 
文件大小: 48.92K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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2sk1299(l), 2sk1299(s)
6
500
200
100
50
20
10
5
0.1 0.2 1
10
反转 流 电流 i
DR
(一个)
2
0.5
5
身体 至 流 二极管 反转
恢复 时间
反转 恢复 时间 t
rr
(ns)
di/dt = 50 一个/
µ
s
V
GS
= 0, ta = 25°c
脉冲波 测试
典型 电容 vs.
流 至 源 电压
1000
100
10
1
电容 c (pf)
01020
50
流 至 源 电压 v
DS
(v)
30 40
V
GS
= 0
f = 1 mhz
Ciss
Coss
Crss
200
160
120
80
40
08 24
32
门 承担 qg (nc)
16
20
16
12
8
4
动态 输入 特性
流 至 源 电压 v
DS
(v)
门 至 源 电压 v
GS
(v)
40
0
V
DS
V
GS
V
DD
= 80 v
50 v
25 v
I
D
= 3 一个
V
DD
= 25 v
50 v
80 v
切换 特性
500
200
100
50
10
5
0.1 0.2 1
10
流 电流 i
D
(一个)
2
0.5
5
切换 时间 t (ns)
20
t
d
(止)
V
GS
= 10 v, v
DD
pw = 2
µ
s, 职责 < 0.1 %
t
d (在)
t
f
t
r
=
.
.
30 v
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