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资料编号:39520
 
资料名称:2SK1070
 
文件大小: 24.05K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel Junction FET
 
 


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2SK1070
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
门 至 流 电压 V
GDO
–22 V
门 至 源 电压 V
GSO
–22 V
流 电流 I
D
50 毫安
门 电流 I
G
10 毫安
频道 电源 消耗 Pch 150 mW
频道 温度 Tch 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150
°
C
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
门 截止 电流 I
GSS
–10 nA V
GS
= –15 v, v
DS
= 0
门 至 源 损坏
电压
V
(br)gss
–22 V I
G
= –10
µ
一个, v
DS
= 0
流 电流 I
DSS
*
1
6 40 毫安 V
DS
= 5 v, v
GS
= 0, 脉冲波 测试
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
0 –2.5 V V
DS
= 5 v, i
D
= 10
µ
一个
向前 转移 admittance
fs
y
20 30 mS V
DS
= 5 v, v
GS
= 0, f = 1 khz
输入 电容 Ciss 9 pF V
DS
= 5 v, v
GS
= 0, f = 1 mhz
便条: 1. 这 2sk1070 是 grouped 用 i
DSS
作 跟随.
等级 B C D E
Mark PIB PIC PID PIE
I
DSS
6 至 14 12 至 22 18 至 30 27 至 40
看 典型的 曲线 的 2sk435.
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