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资料编号:39527
 
资料名称:2SK1057
 
文件大小: 40.07K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sk1056, 2sk1057, 2sk1058
3
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 2SK1056 V
(br)dsx
120 V I
D
= 10 毫安, v
GS
= –10 v
损坏 电压 2SK1057 140
2SK1058 160
门 至 源 损坏
电压
V
(br)gss
±
15——V I
G
=
±
100
µ
一个, v
DS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
0.15 1.45 V I
D
= 100 毫安, v
DS
= 10 v
流 至 源 饱和
电压
V
ds(sat)
——12V I
D
= 7 一个, v
GD
= 0 *
1
向前 转移 admittance |yfs| 0.7 1.0 1.4 S I
D
= 3 一个, v
DS
= 10 v *
1
输入 电容 Ciss 600 pF V
GS
= –5 v, v
DS
= 10 v,
输出 电容 Coss 350 pF f = 1 mhz
反转 转移 电容 Crss 10 pF
转变-在 时间 t
180 ns V
DD
= 20 v, i
D
= 4 一个,
转变-止 时间 t
—60—ns
便条: 1. 脉冲波 测试
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