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Siliconix
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s-56996—rev. g, 03-8月-98 siliconix 是 formerly 一个 分隔 的 temic 半导体
3
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)I
D
V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)I
D
– 门-至-源 电压 (v)
Q
g
– 总的 门 承担 (nc)
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
c – 电容 (pf)
V
GS
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
I
D
– 流 电流 (一个)
T
J
– 接合面 温度 (
c)
(normalized)
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
0 8 16 20
8
6
4
2
0
412
V
GS
= 10, 9 v
8 v
7 v
6 v
5 v
4 v
10
02468
8
6
4
2
0
10
T
C
= –55
C
125
C
1.40
1.00
0.40
02 6
0.80
0.60
4
V
GS
= 10 v
20
16
12
0
04 16
8
4
812
2.5
2.0
1.5
0
1.0
0.5
–50 –25 1500 25 75 12510050
500
400
300
0
05
200
100
10 15 25 353020
600
C
rss
C
oss
C
iss
1.20
V
DS
= 100 v
I
D
= 1 一个
V
GS
= 10 v
I
D
= 1 一个
25
C
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