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资料编号:395336
 
资料名称:SI9422DY
 
文件大小: 53K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
 
 


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Si9422DY
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-2
文档 号码: 70793
s-59610—rev. d, 23-十一月-98
 

   
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 2 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 160 v, v
GS
= 0 v 1
azero 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 160 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C 25
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 10 v 5 一个
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 1.7 一个 0.340 0.420
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 10 v, i
D
= 1.7 一个 3.5 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 2.1 一个, v
GS
= 0 v 0.95 1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
V 100 V V 10 V I 1 7 一个
13 25
C
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 100 v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 1.7 一个
3.5
nC
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V 100 V R 100
10 20
上升 时间 t
r
V
DD
= 100 v, r
L
= 100
I 1 一个 V 10 V R 6
10 20
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
DD
,
L
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 6
20 40
ns
下降 时间 t
f
25 50
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 2.1 一个, di/dt = 100 一个/
s 115 150
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
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