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资料编号:395337
 
资料名称:SI9400DY
 
文件大小: 58.5K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
 
 


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Si9400DY
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2
文档 号码: 70119
s-55458—rev. k, 02-三月-98
 

   
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ
一个
最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= –250
一个 –1.0 V
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= –16 v, v
GS
= 0 v –2
azero 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= –16 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C –25
一个
在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
–5 v, v
GS
= –10 v –10 一个
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= –10 v, i
D
= 1 一个 0.13 0.25
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= –4.5 v, i
D
= 0.5 一个 0.22 0.40
向前 跨导
b
g
fs
V
DS
= –15 v, i
D
= –2.5 一个 2.5 S
二极管 向前 电压
b
V
SD
I
S
= –1.25 一个, v
GS
= 0 v –0.8 –1.6 V
动态
一个
总的 门 承担 Q
g
V10VV10VI20A
6.8 25
C
= –10 v,
V
GS
= –10 v, i
D
= –2.0 一个
1.3
nC
门-流 承担 Q
gd
1.6
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V10VR10
10 40
上升 时间 t
r
V
DD
= –10 v, r
L
= 10
I 1 一个 V 10 V R 6
12 40
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
DD
,
L
I
D
–1 一个, v
GEN
= –10 v, r
G
= 6
20 90
ns
下降 时间 t
f
10 50
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 2 一个, di/dt = 100 一个/
s 69 100
注释
一个. 为 设计 aid 仅有的; 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
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