si9435dy rev 一个(w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
= –250
µ
一个
–30 V
∆
BV
DSS
∆
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= –250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
–22
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= –24 v, V
GS
= 0 v –1
µ
一个
I
GSSF
gate–body 泄漏, 向前 V
GS
= 20 v, V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
gate–body 泄漏, 反转 V
GS
= –20 v, V
DS
= 0 v –100 nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= –250
µ
一个
–1 –1.7 –3 V
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= –250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
4
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= –10 v, I
D
= –5.3 一个
V
GS
= –10 v, i
D
= –5.3 一个, t
J
=125
°
C
V
GS
= –4.5 v, i
D
= –4.2a,
38
54
55
50
79
80
m
Ω
I
d(在)
on–state 流 电流 V
GS
= –10 v, V
DS
= –5 v –20 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
= –15 v, I
D
= –5.3 一个 12 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 690 pF
C
oss
输出 电容 306 pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= –15 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
77 pF
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 7 14 ns
t
r
turn–on 上升 时间 10 18 ns
t
d(止)
turn–off 延迟 时间 19 34 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DD
= –15 v, I
D
= –1 一个,
V
GS
= –10 v, R
GEN
= 6
Ω
11 20 ns
Q
g
总的 门 承担 14 23 nC
Q
gs
gate–source 承担 2.4 nC
Q
gd
gate–drain 承担
V
DS
= –15 v, I
D
= –5.3 一个,
V
GS
= –10 v
4.8 nC
drain–source 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 drain–source 二极管 向前 电流 –5.3 一个
V
SD
drain–source 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, I
S
= –5.3 一个
(便条 2)
–0.86 –1.2 V
注释:
1.
R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 所以lder 挂载 表面 的
这 流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
一个) 50°c/w 当
挂载 在 一个 1in
2
垫子 的 2 oz 铜
b) 105°c/w 当
挂载 在 一个 .04 在
2
垫子 的 2 oz 铜
c) 125°c/w 当 挂载 在 一个
最小 垫子.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
2.
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
Si9435DY
: 点此下载
