Si9424DY
Si9424DY
Rev.
一个
Typical 特性
图示 1. 在-区域 特性.Figure2.在-resistanceVariation
和 流 电流 和 门Voltage.
Figure5.Transfer特性.图示 6. 身体 二极管 向前Voltage
Variation 和 源 电流
和Temperature.
图示 3. 在-阻抗Variation
和Temperature.
图示 4. 在-阻抗Variation
和 门-至-源Voltage.
0.5
1
1.5
2
2.5
01020304050
-I
D
,DR一个INCURRENT(一个)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
V
GS
= -2.5V
-3.0V
-3.5V
-4.5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
00.20.40.60.811.2
-v
SD
,BODYDIODEVOLT一个GE(V)
-i
S
, 反转 流 电流 (一个)
T
J
=125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
11.522.533.544.55
-V
GS
, g一个TETO所以URCe volt一个GE(v)
R
ds(在)
, 在 阻抗 (ohm)
I
D
=-4A
T
J
= 125
o
C
25
o
C
0
4
8
12
16
20
0.511.522.5
-v
GS
, g一个TETo 所以URCe voLT一个GE(v)
-i
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
= -5v
T
J
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
0
10
20
30
40
50
012345
-V
DS
,DRAIN至SOURCEVOLTAGE(V)
-i
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
= -4.5V
-3.5V
-2.5V
-2.0V
-1.5V
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50-250255075100125150
T
J
,JUNCTIONTEMPERATUre (
o
c)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
I
D
= -8一个
V
GS
=-10V
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