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资料编号:395395
 
资料名称:SI9926DY
 
文件大小: 85.4K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
si9926dy rev 一个 (w)
典型 特性
0
5
10
15
20
00.511.52
V
DS
, 流-源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
3.0v
2.5v
2.0v
1.5v
V
GS
= 4.5v
3.5v
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0 5 10 15 20
I
D
, 流 电流 (一个)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
V
GS
= 2.0v
3.5v
3.0v
4.0v
4.5v
2.5v
图示 1. 在-区域 特性. 图示 2. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门 电压.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-resistanc
E
I
D
= 3a
V
GS
= 4.5v
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
12345
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
R
ds(在)
, 在-阻抗 (ohm)
I
D
= 1.5 一个
T
一个
= 125
o
C
T
一个
= 25
o
C
图示 3. 在-阻抗 变化 和
温度.
图示 4. 在-阻抗 变化 和
门-至-源 电压.
0
5
10
15
20
0.511.522.53
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
T
一个
= -55
o
C
25
125
o
C
V
DS
= 5v
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
V
SD
, 身体 二极管 向前 电压 (v)
I
S
, 反转流 电流 (一个)
T
一个
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0v
图示 5. 转移 特性. 图示 6. 身体 二极管 向前 电压 变化
和 源 电流 和 温度.
Si9926DY
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