飞利浦 半导体
Si9936DY
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
产品 数据 rev. 01 — 16 july 2001 5 的 13
9397 750 08413
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8. 特性
表格 5: 特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的 特性
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 250
µ
一个; v
DS
=V
GS
1
−−
V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
=24v; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C
−−
2
µ
一个
T
j
=55
°
C
−−
20
µ
一个
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
GS
=
±
20 v; v
DS
=0V
−−
100 nA
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
= 10 v; i
D
=5a;图示 7和 8
−
35 50 m
Ω
V
GS
= 4.5 v; i
D
= 3.9 一个; 图示 7和 8
−
44 80 m
Ω
动态 特性
g
fs
向前 跨导 V
DS
=15v; i
D
=5A
−
11
−
S
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= 5 一个; v
DS
= 15 v; v
GS
=10v;图示 13
−
18.5 35 nC
Q
gs
门-源 承担
−
1.9
−
nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担
−
3
−
nC
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
DD
=15v; r
D
=15
Ω
; v
GS
=10v; r
G
=6
Ω−
11 30 ns
t
r
转变-在 上升 时间
−
925ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
−
25 50 ns
t
f
转变-止 下降 时间
−
10 50 ns
源-流 (反转) 二极管
V
SD
源-流 (二极管 向前) 电压 I
S
= 1.7a; v
GS
=0v;图示 12
−
0.72 1.2 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
S
= 5 一个; di
S
/dt =
−
100 一个/
µ
s; v
GS
=0V
−
60 160 ns