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资料编号:395434
 
资料名称:SI9939DY
 
文件大小: 78.07K
   
说明
 
介绍:
Complimentary 30-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si9939DY
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
6
文档 号码: 70146
s-00652—rev. g, 27-三月-00
  
   
0
8
16
24
32
40
0.01 0.1 11030
单独的 脉冲波 电源
时间 (秒)
电源 (w)
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
门槛 电压
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
– 源-至-流 电压 (v) V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 源 电流 (一个)i
S
T
J
– 温度 (
c)
variance (v)v
gs(th)
0.4
1
10
20
0.8 1.00.6 1.40.2
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
–0.4
–0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
–50 0 50 100 150
I
D
= 250
µ
一个
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0246810
I
D
= 3.5 一个
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
11030
职责 循环 = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 62.5
c/w
3. t
JM
– t
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
1.2
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