IRFIB5N50L_集成电路资料查询网

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图 13.
门槛 电压 vs.温度
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 温度 ( °c )
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
V
G
S
(
t
h
)
G
一个
t
e
t
h
r
e
s
h
o
l
d
V
o
l
t
一个
g
e
(
V
)
I
D
= 250µa
图 12.
最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-情况
0.01
0.1
1
10
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10
注释:
1. 职责 因素 d = t   / t
2. 顶峰 t = P x  z + t
1 2
J DM thJC C
P
t
t
DM
1
2
t  , rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
热的 回馈 (z          )
1
thJC
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50
单独的 脉冲波
(热的 回馈)

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 6 www.irf.com 图 13. 门槛电压 vs.温度 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 T J , 温度 ( °c ) 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 V G S ( t h ) G 一个 t e t h r e s h o l d V o l t 一个 g e ( V ) I D = 250µa 图 12. 最大有效的瞬时热的阻抗, 接合面-至-情况 0.01 0.1 1 10 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 注释: 1. 职责因素 d = t / t 2. 顶峰 t = P x z + t 1 2 J DM thJC C P t t DM 1 2 t , rectangular 脉冲波持续时间 (秒) 热的回馈 (z ) 1 thJC 0.01 0.02 0.05 0.10 0.20 d = 0.50 单独的脉冲波 (热的回馈)

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