数据 薄板
16 mbit multi-目的 flash
sst39lf160 / sst39vf160
9
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71145-02-000 6/01 399
绝对 最大 压力 比率
(应用 情况 更好 比 那些 列表 下面
“
绝对 最大
压力 比率
”
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 情况 或者 情况 更好 比 那些 定义 在 这 运算的 sections 的 这个 数据
薄板 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 压力 比率 情况 将 影响 设备 可靠性.)
温度 下面 偏差 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . .-55
°
c 至 +125
°
C
存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . -65
°
c 至 +150
°
C
d. c. 电压 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5v至 v
DD
+ 0.5v
瞬时 电压 (<20 ns) 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-1.0v 至 v
DD
+ 1.0v
电压 在 一个
9
管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5v至 13.2v
包装 电源 消耗 能力 (ta = 25
°
c). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0w
表面 挂载 含铅的 焊接 温度 (3 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . 240
°
C
输出 short 电路 电流
1
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50毫安
1. 输出 短接 为 非 更多 比 一个 第二. 非 更多 比 一个 输出 短接 在 一个 时间.
O
PERATING
R
ANGE
: sst39lf160
范围 包围的 温度 V
DD
商业的 0
°
c 至 +70
°
C 3.0-3.6v
O
PERATING
R
ANGE
: sst39vf160
范围 包围的 温度 V
DD
商业的 0
°
c 至 +70
°
C 2.7-3.6v
工业的 -40
°
c 至 +85
°
C 2.7-3.6v
交流 c
ONDITIONS
的
T
EST
输入 上升/下降 时间 . . . . . . . . . . . . . . 5 ns
输出 加载 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . cl = 30 pf 为 sst39lf160
输出 加载 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . cl = 100 pf 为 sst39vf160
看 计算数量 13 和 14
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