IGD01N120H2_集成电路资料查询网

igp01n120h2, igb01n120h2
IGD01N120H2
电源 半导体
8 rev. 2, 三月-04
Z
thJC
,
瞬时 热的 阻抗
1µs 10µs 100µs 1ms 10ms 100ms
10
-2
k/w
10
-1
k/w
10
0
k/w
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
单独的 脉冲波
D
=0.5
V
GE
,
门
-
发射级 电压
0nC 5nC 10nC 15nC
0V
5V
10V
15V
20V
U
CE
=240V
U
CE
=960V
t
p
,
脉冲波 宽度
Q
GE
,
门 承担
图示 17. igbt 瞬时 热的
阻抗 作 一个 函数 的 脉冲波 宽度
(
D
=
t
p
/
T
)
图示 18. 典型 门 承担
(
I
C
= 1a)
C
,
电容
0V 10V 20V 30V
10pF
100pF
C
rss
C
oss
C
iss
V
CE
,
集电级
-
发射级 电压
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0V
200V
400V
600V
800V
1000V
0.0a
0.2a
0.4a
0.6a
0.8a
1.0a
I
CE
集电级
C
URRENT
V
CE
,
集电级
-
发射级 电压
t
p
,
脉冲波 宽度
图示 19. 典型 电容 作 一个
函数 的 集电级-发射级 电压
(
V
GE
= 0v,
f
= 1mhz)
图示 20. 典型 转变 止 行为, hard
切换
(v
GE
=15/0v,
R
G
=220
Ω
,
T
j
= 150
°
c,
动态 测试 电路 在 图示 e)
R
,(k/w)
τ
,
(s)
2.5069 0.00066
1.1603 0.00021
0.8327 0.00426
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2

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igp01n120h2, igb01n120h2 IGD01N120H2 电源半导体 8 rev. 2, 三月-04 Z thJC , 瞬时热的阻抗 1µs 10µs 100µs 1ms 10ms 100ms 10 -2 k/w 10 -1 k/w 10 0 k/w 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 单独的脉冲波 D =0.5 V GE , 门 - 发射级电压 0nC 5nC 10nC 15nC 0V 5V 10V 15V 20V U CE =240V U CE =960V t p , 脉冲波宽度 Q GE , 门承担图示 17. igbt 瞬时热的阻抗作一个函数的脉冲波宽度 ( D = t p / T ) 图示 18. 典型门承担 ( I C = 1a) C , 电容 0V 10V 20V 30V 10pF 100pF C rss C oss C iss V CE , 集电级 - 发射级电压 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0V 200V 400V 600V 800V 1000V 0.0a 0.2a 0.4a 0.6a 0.8a 1.0a I CE 集电级 C URRENT V CE , 集电级 - 发射级电压 t p , 脉冲波宽度图示 19. 典型电容作一个函数的集电级-发射级电压 ( V GE = 0v, f = 1mhz) 图示 20. 典型转变止行为, hard 切换 (v GE =15/0v, R G =220 Ω , T j = 150 ° c, 动态测试电路在图示 e) R ,(k/w) τ , (s) 2.5069 0.00066 1.1603 0.00021 0.8327 0.00426 C 1 = τ 1 / R 1 R 1 R 2 C 2 = τ 2 / R 2

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