文档 号码: 23089
修订 14-将-02
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12
307c overcurrent thermistors
vishay cera-mite
ceramite.support@vishay.com
如何 各种各样的 物理的 参数 影响 一个 ptcs:
参数 电压 &放大; 电流 能力 支撑 电流 &放大; trip 时间
disc 直径 (d) 增加 直径 将 增加 电压 增加 直径 将 增加
和 电流 比率. 支撑 电流 和 lengthen trip 德州仪器me.
disc 厚度 (t) 增加 厚度 将 增加 增加 厚度 将 增加
电压 比率; 将 或者 将 不 支撑 电流 和 lengthen trip 时间.
增加 电流 比率.
curie (转变) (t
SW
)典型地, 更小的 转变 温度 高等级的 转变 温度
温度 材料 有 高等级的 电压/ 材料 增加支撑 电流
电流 能力. 和 lengthen trip 时间.
阻抗 (r
25
)高等级的 阻抗 将 增加 更小的 阻抗 将 增加 支撑
电压 能力. 电流 和 lengthen trip 时间.
热的 加载 增加 热的 加载 典型地增加 热的 加载 增加
(热温 下沉) 减少 这 最大 interrupting 电流. 支撑 电流 和 lengthens trip 时间.
线 leads线 leads 增加 至 一个 ptcr pellet act 作 取决于 在 热的 conductivity 的
一个 热的 加载 结果 在 减少 线 使用. 铜 将 增加
最大 interrupting 电流. 支撑 电流 和 trip 时间.
coating 材料 应用 coating 至 一个 含铅的 ptcr 有应用 coating 至 一个 含铅的 ptcr
minimal 效应 在 电压/电流 比率. 增加 支撑 电流/trip 时间 10-20%.
应用 数据
tripping action 预定的 至 overcurrent
在 正常的 运作, 这 ptcr 仍然是 在 一个 低 根基
阻抗 状态
(图 p-3, 区域 1)
. 不管怎样, 如果 电流
在 excess 的 支撑 电流 (I
H
) 是 安排, i
2
Rlosses
生产 内部的 自 加热. 如果 这 巨大 和 时间 的
这 overcurrent 事件 develops 一个 活力 输入 在 excess 的
这 设备
’
s 能力 至 dissipate 热温, 这 ptcr 温度
将 增加, 因此 减少 这 电流 和 protecting 这
电路.
ptc 电流 limiters 是 将 为 维护 在 电信
系统, automobiles, 或者 这 secondary 的 控制 transform-
ers 或者 在 类似的 产品 在哪里 活力 有 是 限制
用 源 阻抗. 它们 是 不 将 为 应用
在 交流 线条 电压 在哪里 源 活力 将 是 高 和
源 阻抗 低.
这 电流 必需的 至 trip (i
T
) 是 典型地 指定 作 二
时间 这 支撑 电流 (2 x i
H
). i
T
是 定义 作 这 最小
rms 传导 电流 必需的 至 保证 thermistor
切换 在 一个 高 阻抗 状态
(图 p-3, 区域 2)
在
一个 25
°
c 包围的 温度.
包围的 温度 influences 这 能力 的 这 ptcr 至
转移 热温 通过 表面 辐射 和 热的 传导 在
这 线 leads. 在 高 包围的 温度, 较少 活力
输入 (通过 i
2
R) 是 必需的 至 reach 这 trip 温度. 低
ambients 需要 更好 活力 输入. 近似的 减额
影响 是 显示 在 图 p-2.
自从 这 tripping 运作 是 预定的 至 热的 改变, 那里
是 一个 时间-trip 曲线 有关联的 和 各自 设备. 在 相当地
低 magnitudes 的 overcurrent, 它 将 引领 分钟 为 这
设备 至 trip. 高等级的 电流 水平 能 结果 在 millisecond
回馈 时间. trip 时间 (t) 能 是 计算 作 跟随
km(t
SW
-t
一个
)
trip 时间 (t) =
I
2
r - d(t
SW
-t
一个
)
在哪里: k = 系数 的 热温 absorption = 0.603j/g/
°
C
m = mass 的 ptcr = 容积 x 5.27x10
-3
g/mm
3
r = 零 电源 阻抗 的 ptcr 在 25
°
C
图 p-3
陶瓷的 材料
这 温度 在 这个 这 ptcr 改变 从 这
根基 阻抗 至 高 阻抗 区域 是 决定 用
这 ptcr 陶瓷的 材料. 切换 温度 (t
SW
)
描述 用 这 boundary 在 regions 1 &放大; 2
(图 p-3)
,
是 这 温度 要点 在 这个 这 ptcr 有 增加
至 二 时间 它的 根基 阻抗 在 25
°
c 包围的 (r
SW
= 2
x r
25
). 设计 flexibility 是 增强 用 cera-mite
’
s 宽
选择 的 陶瓷的 ptcr 材料 和 不同的 切换
温度
(图 p-4)
.
图 p-4
表格 2
自 resetting - 非 cycling - repeatable
之后 tripping, 这 ptcr 将 仍然是 latched 在 它的 高
阻抗 状态 作 长 作 电压 仍然是 应用 和
sufficient trickle 电流 是 maintained 至 保持 这 设备
在之上 这 切换 温度. 之后 电压 是 移除,
这 ptcr resets (cools) 后面的 至 它的 低 阻抗 状态 和
是 又一次 准备好 至 提供 保护.
物理的 设计 仔细考虑
直径 (d) - 一般 diameters 范围 从 4 至 22mm.
厚度 (t) - 典型 厚度 范围 从 1 至 5mm.
curie (切换) 温度 (t
SW
) -
看 图 p-4.
阻抗 (
ρ
) -
决定 在 sintering 处理; 联合的
和 pellet geometry 结果 在 最终 阻抗
为基础 在:
R
25
= 零 电源 阻抗 在 25
°
c =
ρ
T
范围
ptcr overcurrent 保护
vishay cera-mite 提供
一个 宽 选择 的
陶瓷的 ptc 材料
供应 flexibility 为
不同的 包围的
温度. 关闭
保护 水平 是
可能 用 designing
阻抗 和 物理的
大小 至 满足 明确的
支撑 电流 和 trip
电流 (所需的)东西.
curie 温度
°
c (±5
°
)
阻抗 比率
100K
10K
1K
100
10
2.0
1.0
0.1
55
°
C
70
°
C
80
°
C
90
°
C
105
°
C
120
°
C
PTC
阻抗
区域 2
高
阻抗
区域 1
根基
阻抗
r vs. t 运行 特性
PTC
温度
T
SW
25
°
C
10
R
25
R
SW
=
2 x r
25
100
1000
10000
100000
阻抗 (log 规模)
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