IKW40T120_集成电路资料查询网

IKW40T120
^
trenchstop 序列
电源 半导体
2 初步的 / rev. 1   jul-02
热的 阻抗
参数 标识 情况 最大值 值 单位
典型的
igbt 热的 阻抗,
接合面 – 情况
R
thJC
0.45
二极管 热的 阻抗,
接合面 – 情况
R
thJCD
0.81
热的 阻抗,
接合面 – 包围的
R
thJA
至-247ac 40
k/w
电的 典型的,
在
T
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
静态的 典型的
集电级-发射级 损坏 电压
V
(br)ces
V
GE
=0v,
I
C
=1.5ma
1200 - -
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
V
GE
= 15v,
I
C
=40A
T
j
=25
°
C
T
j
=125
°
C
T
j
=150
°
C
-
-
-
1.8
2.1
2.3
2.3
-
-
二极管 向前 电压
V
F
V
GE
=0v,
I
F
=40A
T
j
=25
°
C
T
j
=125
°
C
T
j
=150
°
C
-
-
-
1.75
1.75
1.75
2.3
-
-
门-发射级 门槛 电压
V
ge(th)
I
C
=1.5ma,
V
CE
=
V
GE
5.0 5.8 6.5
V
零 门 电压 集电级 电流
I
CES
V
CE
=1200V
,
V
GE
=0V
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
-
-
-
-
0.4
4.0
毫安
门-发射级 泄漏 电流
I
GES
V
CE
=0v,
V
GE
=20V
- - 600 nA
跨导
g
fs
V
CE
=20v,
I
C
=40A
-21-s
整体的 门 电阻
R
Gint
6
Ω

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IKW40T120 ^ trenchstop 序列电源半导体 2 初步的 / rev. 1 jul-02 热的阻抗参数标识情况最大值值单位典型的 igbt 热的阻抗, 接合面 – 情况 R thJC 0.45 二极管热的阻抗, 接合面 – 情况 R thJCD 0.81 热的阻抗, 接合面 – 包围的 R thJA 至-247ac 40 k/w 电的典型的, 在 T j = 25 ° c, 除非否则指定值参数标识情况最小值典型值最大值单位静态的典型的集电级-发射级损坏电压 V (br)ces V GE =0v, I C =1.5ma 1200 - - 集电级-发射级饱和电压 V ce(sat) V GE = 15v, I C =40A T j =25 ° C T j =125 ° C T j =150 ° C - - - 1.8 2.1 2.3 2.3 - - 二极管向前电压 V F V GE =0v, I F =40A T j =25 ° C T j =125 ° C T j =150 ° C - - - 1.75 1.75 1.75 2.3 - - 门-发射级门槛电压 V ge(th) I C =1.5ma, V CE = V GE 5.0 5.8 6.5 V 零门电压集电级电流 I CES V CE =1200V , V GE =0V T j =25 ° C T j =150 ° C - - - - 0.4 4.0 毫安门-发射级泄漏电流 I GES V CE =0v, V GE =20V - - 600 nA 跨导 g fs V CE =20v, I C =40A -21-s 整体的门电阻 R Gint 6 Ω

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