首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:402850
 
资料名称:IL223A
 
文件大小: 53.66K
   
说明
 
介绍:
PHOTODARLINGTON SMALL OUTLINE SURFACE MOUNT OPTOCOUPLER
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号IL223A的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号IL223A的Datasheet PDF文件第3页
3
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
5–1
特性
高 电流 转移 比率, i
F
=1 毫安,
il221a, 100% 最小
il222a, 200% 最小
il223a, 500% 最小
承受 测试 电压,2500 vac
RMS
电的 specifications 类似的 至
标准 6 管脚 coupler
工业 标准 soic-8 表面
mountable 包装
标准 含铅的 间隔, .05"
有 在 录音带 和 卷轴 选项
(遵从 至 eia 标准 rs481a)
兼容 和 双 波, vapor 阶段
和 ir reflow 焊接
underwriters lab 文件 #e52744
(代号 letter p)
描述
这 il221a/il222a/il223a 是 一个 高 电流 trans-
fer 比率 (ctr) optocoupler 和 一个 镓 砷化物
infrared led 发射级 和 一个 硅 npn photodar-
lington 晶体管 探测器.
这个 设备 有 一个 ctr 测试 在 一个 1 毫安 led cur-
rent. 这个 低 驱动 电流 准许 容易 接合
从 cmos 至 lsttl 或者 ttl.
这个 optocoupler 是 构成 在 一个 标准
soic-8 foot 打印 这个 制造 它 ideally suited 为
高 密度 产品. 在 增加 至 eliminating
通过-孔 (所需的)东西, 这个 包装 con-
形式 至 standards 为 表面 挂载 设备.
最大 比率
发射级
顶峰 反转 电压 .....................................6.0 v
持续的 向前 电流 .........................60 毫安
电源 消耗 在 25
°
c............................90 mw
减额 成直线地 从 25
°
C......................1.2 mw/
°
C
探测器
集电级-发射级 损坏 电压...............30 v
发射级-集电级 损坏 电压.................5 v
集电级-根基 损坏 电压..................70 v
电源 消耗 ......................................150 mw
减额 成直线地 从 25
°
C......................2.0 mw/
°
C
包装
总的 包装 消耗 在 25
°
c 包围的
(led + 探测器) ....................................240 mw
减额 成直线地 从 25
°
C......................3.3 mw/
°
C
存储 温度...................–55
°
c 至 +150
°
C
运行 温度 ...............–55
°
c 至 +100
°
C
焊接 时间 在 260
°
C ............................. 10 秒.
NE
W
特性
(t
一个
=25
°
c)
标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
发射级
向前 电压 V
F
1.0 1.5 V I
F
=1 毫安
反转 电流 I
R
0.1 100
µ
AV
R
=6.0 v
电容 C
O
25 pF V
R
=0 v,
f=1 mhz
探测器
损坏 电压
集电级-发射级
发射级-集电级
B
VCEO
B
VECO
30
5
V
V
I
C
=100
µ
一个
I
E
=100
µ
一个
电压,
集电级-根基
BV
CBO
70 I
C
=10
µ
一个
电容,
集电级-发射级
C
CE
3.4 pF V
CE
=10 v
包装
直流 电流 转移
比率
IL221A
IL222A
IL223A
CTR
直流
100
200
300
I
F
=1 毫安,
V
CE
=5 v
饱和 电压,
集电级-发射级
V
CEsat
1V I
CE
=0.5 毫安,
I
F
=1 毫安
分开 测试
电压
V
IO
2500 VAC
RMS
t=1 秒.
电容,
输入 tooutput C
IO
0.5 pF
阻抗,
输入 至 输出 R
IO
100 G
维度 在 英寸 (mm)
1
2
3
4
Anode
Cathode
NC
NC
8
7
6
5
NC
根基
集电级
发射级
40
°
.240
(6.10)
.154
±
.005
(3.91
±
.13)
.050 (1.27)
典型值
.016 (.41)
.192
±
.005
(4.88
±
.13)
.004 (.10)
.008 (.20)
含铅的
Coplanarity
±
.0015 (.04)
最大值
.015
±
.002
(.38
±
.05)
.008 (.20)
7
°
.058
±
.005
(1.49
±
.13)
.125
±
.005
(3.18
±
.13)
管脚 一个 id
.120
±
.005
(3.05
±
.13)
C
L
.040 (1.02)
5
°
最大值
r.010
(.25) 最大值
.020
±
.004
(.15
±
.10)
2 plcs.
il221a/il222a/il223a
PHOTODARLINGTON
小 外形
表面 挂载 optocoupler
这个 文档 是 创建 和 framemaker 4.0.4
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com