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文档 号码 83619
rev. 1.6, 26-oct-04
IL255
vishay 半导体
输出
Coupler
电的 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
最小 和 最大 值 是 测试 需要ments. 典型 值 是 characteristics 的 这 设备 和 是 这 结果 的 engineering
evaluation. 典型 值 是 为 信息仅有的 和 是 不 部分 的 这 测试 (所需的)东西.
输入
输出
参数 测试 情况 标识 Value 单位
集电级-发射级 损坏
电压
BV
CEO
30 V
发射级-根基 损坏
电压
BV
EBO
5.0 V
集电级-根基 损坏
电压
BV
CBO
70 V
电源 消耗 P
diss
200 mW
减额 成直线地 从 25°c 2.6 mw/°c
参数 测试 情况 标识 Value 单位
分开 测试 电压 ( 在
发射级 和 探测器, 谈及 至
标准 climate
23 °c/50 %rh, din 50014)
V
ISO
5300 V
RMS
Creepage
≥
7.0 mm
Clearance
≥
7.0 mm
分开 阻抗 V
IO
= 500 v, t
amb
= 25 °C R
IO
≥
10
12
Ω
V
IO
= 500 v, t
amb
= 100 °C R
IO
≥
10
11
Ω
总的 消耗 P
tot
250 mW
减额 成直线地 从 25 °C 3.3 mw/°c
存储 温度 T
stg
- 55 至 + 150 °C
运行 温度 T
amb
- 55 至 + 100 °C
含铅的 焊接 时间 在
≤
260 °C 10 秒.
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
向前 电压 I
F
= ± 100 毫安 V
F
1.4 1.7 V
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= 10 毫安 BV
CEO
30 50 V
发射级-集电级 损坏 电压 I
E
= 10
µ
ABV
ECO
7.0 10 V
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= 100
µ
ABV
CBO
70 V
发射级-根基 损坏 电压 I
E
= 100
µ
ABV
EBO
7.0 V
集电级-发射级 泄漏 电流 V
CE
= 10 v I
CEO
5.0 50 nA
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