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文档 号码 83624
rev. 1.5, 26-oct-04
IL352
vishay 半导体
输出
Coupler
电的 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
最小 和 最大 值 是 测试 需要ments. 典型 值 是 characteristics 的 这 设备 和 是 这 结果 的 engineering
evaluation. 典型 值 是 为 信息仅有的 和 是 不 部分 的 这 测试 (所需的)东西.
输入
输出
参数 测试 情况 标识 Value 单位
集电级-发射级 电压 V
CE
70 V
发射级-根基 电压 V
EBO
7.0 V
集电级 电流 I
C
50 毫安
t
≤
1.0 ms I
C
100 毫安
总的 电源 消耗 P
diss
150 mW
减额 成直线地 从 25 °C 2.5 mw/°c
参数 测试 情况 标识 Value 单位
分开 测试 电压 (在
发射级 和 探测器 涉及 至
climate din 40046, 部分 2,
十一月 74)
t = 1.0 秒. V
ISO
3000 V
RMS
分开 阻抗 V
IO
= 500 v, t
amb
= 25 °C R
IO
≥
10
12
Ω
V
IO
= 500 v, t
amb
= 100 °C R
IO
≥
10
11
Ω
存储 温度 范围 T
stg
- 40 至 + 150 °C
包围的 温度 范围 T
amb
- 40 至 + 85 °C
接合面 温度 T
j
100 °C
焊接温度 最大值 10 s, 插件 焊接 距离
至 seating 平面
≥
1.5 mm
T
sld
260 °C
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
向前 电压 I
F
= 10 毫安 V
F
1.3 1.5 V
反转 电流 V
R
= 6.0 v I
R
0.1 10
µ
一个
电容 V
R
= 0, f = 1.0 mhz C
O
25 pF
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
集电级-发射级 损坏
电压
I
C
= 1.0 毫安, i
E
= 100
µ
ABV
CEO
30 V
发射级-集电级 损坏
电压
I
C
= 1.0 毫安, i
E
= 100
µ
ABV
ECO
7.0 V
集电级-发射级 泄漏
电流
V
CE
= 10 v, i
F
= 0, t
一个
= 25 °C I
CEO
5.0 50 nA
V
CE
= 30 v, i
F
= 0, t
一个
= 85 °C I
CEO
500
µ
一个
集电级-根基 损坏
电压
I
C
= 100
µ
ABV
CBO
70 V
集电级-发射级 电容 V
CE
= 0 C
CE
6.0 pF
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