5–2
il/d/q30/31/55
电的 特性
(t
一个
=25
°
c)
标识 最小值 典型值 最大值.. 单位 情况
gaas 发射级 (每 频道)
向前 电压 V
F
1.25 1.5 V I
F
=20 毫安
反转 电流 I
R
0.1 10
µ
AV
R
=3.0 v
电容 C
O
25 pF V
R
=0 v
探测器 (每 频道)
集电级-发射级 损坏 电压 BV
CEO
30/55 V I
C
=100
µ
一个
集电级-发射级 泄漏 电流 I
CEO
1.0 100 nA V
CE
=10 v, i
F
=0
集电级-发射级 电容 C
CE
3.4 pF V
CE
=10 v, f=1 mhz
包装
电流 转移 比率
il/d/q30/55
il/d/q31
CTR
100
200
400
400
%
%
I
F
=10 毫安,v
CE
=5 v
I
F
=10 毫安,v
CE
=5 v
集电级-发射级 饱和 电压 V
CEsat
0.9 1.0 V I
C
=50 毫安, i
F
=50 毫安
分开 测试 电压 5300 VAC
RM
S
分开 阻抗 R
ISOL
10
12
W
连接 电容 C
ISOL
0.5 pF
上升 时间 t
R
10
µ
sV
CC
=13.5 v, i
F
=50 毫安,
R
L
=100
Ω
下降 时间 t
F
35
µ
s
图示 1. 向前 电压 相比 向前 电流
图示 2. normalized 非-saturated 和 saturated
ctrce 在 t
一个
=25
°
c 相比 led 电流
100101.1
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
如果 - 向前 电流 - 毫安
vf - 向前 电压 - v
ta = -55
°
C
ta = 25
°
C
ta = 85
°
C
.1 1 10 100 1000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
vce =1v
vce = 5v
如果 - led 电流 - 毫安
nctrce - normalized ctr
vce = 5 v
如果 = 10 毫安
ta = 25
°
C
normalized 至:
图示 3. normalized 非-saturated 和 saturated
集电级-发射级 电流 相比 led 电流
图示 4. normalized 集电级-根基 photocurrent
相比 led 电流
100
101.1
.001
.01
.1
1
10
vce = 1v
vce = 5 v
如果 - led 电流 - 毫安
nice - normalized ice
ta = 25
°
C
如果 = 10 毫安
vce = 5 v
normalized 至:
.1 1 10 100
.001
.01
.1
1
10
如果 - led 电流 - 毫安
nicb - normalized icb
ta = 25
°
C
vcb = 3.5 v
如果 = 10 毫安
normalized 至:
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