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文档 号码 83631
rev. 1.5, 26-oct-04
VISHAY
IL440
vishay 半导体
绝对 最大 比率
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
压力 在 excess 的 这 绝对 最大 比率 能 cause 永久的 损坏 至 这 设备. functional 运作 的 这 设备是
不 暗指 在 这些 或者 任何 其它 情况在 excess 的 那些 给 在 这 operational sections 的 这个文档. 暴露 至绝对
最大 比率 为 扩展 时期 的 这时间 能 反而 影响 可靠性.
输入
输出
Coupler
参数 测试 情况 标识 Value 单位
反转 电压 V
R
5.0 V
向前 电流 I
F
60 毫安
surge 电流 p.w. < 10
µ
sI
FSM
3.0 一个
电源 消耗 P
diss
100 mW
接合面 温度 T
j
100 °C
参数 测试 情况 Part 标识 Value 单位
顶峰 止-状态 电压 il440-1 V
DRM
600 V
il440-2 V
DRM
600 V
il440-3 V
DRM
600 V
il440-4 V
DRM
400 V
il440-5 V
DRM
400 V
il440-6 V
DRM
400 V
在-状态 rms 电流 I
d(rms)
100 毫安
顶峰 surge 电流 t
p
≤
10 ms I
FSM
1.2 一个
顶峰 在-状态 电流 t
p
/t = 0.01
≤
100
µ
sI
DRM
2.0 一个
电源 消耗 P
diss
300 mW
接合面 温度 T
j
125 °C
参数 测试 情况 标识 Value 单位
分开 电压, 1.0 秒., 每
标准 climate 23 °c/50 %
rh, din 50014
V
ISO
5300 V
RMS
Creepage
≥
7.0 mm
Clearance
≥
7.0 mm
分开 阻抗 V
IO
= 500 v, t
amb
= 25 °C R
IO
≥
10
12
Ω
V
IO
= 500 v, t
amb
= 100 °C R
IO
≥
10
11
Ω
总的 电源 消耗 P
tot
330 mW
存储 温度 范围 T
stg
- 55 至 + 125 °C
包围的 温度 T
amb
- 40 至 + 100 °C
接合面 温度 T
j
100 °C
含铅的 焊接 温度 2.0 mm 从 情况, t < 10 s T
sld
260 °C
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