5–1
特性
• 高 输入 敏锐的 i
FT
=1.3 毫安
• 600/700/800 v blocklng 电压
• 300 毫安 在-状态 电流
• 高 静态的 dv/dt 10,000 v/
µ
秒., 典型
• inverse 并行的 scrs 提供 commutating
dv/dt >10 kv/
µ
秒
• 非常 低 泄漏 <10
µ
一个
• 分开 测试 电压 从 翻倍 模塑的
包装 5300 vac
RMS
• 包装, 6-pln 插件
• underwriters lab 文件 #e52744
描述
这 il421x 组成 的 一个 algaas irled optically
结合 至 一个 一双 的 photosensitive 非-零 越过
scr 碎片 和 是 连接 inversely 并行的 至
表格 一个 triac. 这些 三 半导体 是
聚集 在 一个 六 管脚 0.3 inch 双 在-线条 包装,
使用 高 绝缘 翻倍 模塑的, 在/下面 含铅的-
框架 构建.
高 输入 敏锐的 是 达到 用 使用 一个 发射级
追随着 phototransistor 和 一个 倾泻 scr 前-
驱动器 结果 在 一个 led 触发 电流 的 较少 比
1.3 毫安 (直流).
这 il421x 使用 二 分离的 scrs 结果 在 一个
commutating dv/dt 的 更好 比 10kv/
µ
s. 这 使用
的 一个 专卖的
dv/dt clamp
结果 在 一个 静态的 dv/dt 的
更好 比 10kv/
µ
s. 这个 clamp 电路 有 一个 mos-
场效应晶体管 那 是 增强 当 高 dv/dt 尖刺 出现
在 mt1 和 mt2 的 这 triac. 这 场效应晶体管 clamps
这 根基 的 这 phototransistor 当 组织, dis-
abling 这 内部的 scr predriver.
这 blocking 电压 的 向上 至 800 v 准许 控制 的
止-线条 电压 向上 至 240 vac, 和 一个 安全 因素 的
更多 比 二, 和 是 sufficient 为 作 更 作 380
vac. 电流 处理 能力 是 向上 至 300 毫安
rms, 持续的 在 25
°
c.
这 il421x isolates 低-电压 逻辑 从 120, 240,
和 380 vac 线条 至 控制 resistive inductive, 或者
电容的 负载 包含 发动机 solenoids, 高 cur-
rent thyristors 或者 triac 和 接转.
产品 包含 固体的-状态 接转, 工业的 con-
trols, office 设备, 和 消费者 器具.
最大 比率
发射级
反转 电压 ...................................................................................6 v
向前 电流 ..............................................................................60 毫安
surge 电流 ....................................................................................2.5 一个
电源 消耗.........................................................................100 mw
减额 成直线地 从 25
°
C......................................................1.33 mw/
°
C
热的 阻抗....................................................................750
°
c/w
探测器
顶峰 止-状态 电压
IL4216...........................................................................................600 v
IL4217...........................................................................................700 v
IL4218...........................................................................................800 v
rms 在-状态 电流...................................................................300 毫安
单独的 循环 surge...............................................................................3 一个
总的 电源 消耗 ................................................................500 mw
减额 成直线地 从 25
°
C........................................................6.6 mw/
°
C
热的 阻抗.....................................................................150
°
c/w
包装
分开 测试 电压...........................................................5300 vac
RMS
存储 温度......................................................–55
°
c 至 +150
°
C
运行 温度 ..................................................–55
°
c 至 +100
°
C
含铅的 焊接 温度................................................ 260
°
c/5 秒.
分开 阻抗
V
IO
=500 v, t
一个
=25
°
C .................................................................
≥
10
12
Ω
V
IO
=500 v, t
一个
=100
°
C ...............................................................
≥
10
11
Ω
维度 在 英寸 (mm)
.010 (.25)
.014 (.35)
.110 (2.7
9)
.150 (3.81)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.020 (.051) 最小值
.300 (7.62)
典型值
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 (2.54) 典型值
.039
(1.00)
最小值
.018 (0.45)
.022 (0.55)
.248 (6.30)
.256 (6.50)
.335 (8.50)
.343 (8.70)
管脚 一个 id.
6
5
4
12
3
18
°
典型值
.300 (7.62)
.347 (8.82)
4
°
典型值
1
2
3
6
5
4
Triac
Anode
1
Triac
anode 2
Substra
te
做 不
connec
t
LED
Anode
LED
Cathode
NC
600 v
IL4216
700 v
IL4217
800 v
IL4218
triac 驱动器 optocoupler
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