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文档 号码 83618
rev. 1.3, 20-apr-04
VISHAY
il250/ 251/ 252/ ild250/ 251/ 252
vishay 半导体
绝对 最大 比率
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
压力 在 excess 的 这 绝对 最大 比率 能 cause 永久的 损坏 至 这 设备. 函数的 运作 的 这 设备是
不 暗指 在 这些 或者 任何 其它 情况 在 excess 的 those 给 在 这 运算的 sections 的 这个 文档. 暴露 至绝对
最大 比率 为 扩展 时期 的 这 时间 能 反而 影响 可靠性.
输入
输出
Coupler
参数 测试 情况 标识 Value 单位
向前 持续的 电流 I
F
60 毫安
电源 消耗 P
diss
100 mW
减额 成直线地 从 25 °C 1.33 mw/°c
Parameter 测试 情况 标识 Value 单位
集电级-发射级 损坏 电压 BV
CEO
30 V
发射级-根基 损坏 电压 BV
EBO
5.0 V
集电级-根基 损坏 电压 BV
CBO
70 V
电源 消耗 单独的 频道 P
diss
200 mW
电源 消耗 双 频道 P
diss
150 mW
减额 成直线地 从 25 °c 单独的 频道 2.6 mw/°c
减额 成直线地 从 25 °c 双 频道 2.0 mw/°c
参数 测试 情况 标识 Value 单位
分开 测试 电压 (在
发射级 和 探测器 涉及 至
标准 climate
23 °c/50 %rh, din 50014)
V
ISO
5300 V
RMS
Creepage
≥
7.0 mm
Clearance
≥
7.0 mm
分开 阻抗 V
IO
= 500 v, t
amb
= 25 °C R
IO
10
12
Ω
V
IO
= 500 v, t
amb
= 100 °C R
IO
10
11
Ω
总的 消耗 单独的 频道 P
tot
250 mW
总的 消耗 双 频道 P
tot
400 mW
减额 成直线地 从 25 °c 单独的
频道
3.3 mw/°c
减额 成直线地 从 25 °c 双
频道
5.3 mw/°c
存储 温度 T
stg
- 55 至 + 150 °C
运行 温度 T
amb
- 55 至 + 100 °C
含铅的 焊接 时间 在 260 °C 10 秒.
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