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ild205t/ 206t/ 207t/211t/ 213t/ 217t
文档 号码 83647
rev. 1.4, 26-oct-04
vishay 半导体
www.vishay.com
3
输出
Coupler
电流 转移 比率
参数 测试 情况 标识 最小值 Ty p. 最大值 单位
集电级-发射级 损坏
电压
I
C
= 10
µ
ABV
CEO
70 V
发射级-集电级 损坏
电压
I
E
= 10
µ
ABV
ECO
7.0 V
集电级-发射级 泄漏
电流
V
CE
= 10 v, i
F
= 0 I
CEO
5.0 50 nA
集电级-发射级 电容 V
CE
= 0 C
CE
10 pF
参数 测试 情况 标识 最小值 Ty p. 最大值 单位
集电级-发射级 饱和
电压
I
F
= 10 毫安, i
C
= 2.5 毫安 V
ce(sat)
0.4 V
电容 (输入-输出) C
IO
0.5 pF
分开 测试 电压 t = 1.0 秒. V
ISO
3000 V
RMS
阻抗, 输入 至 输出 R
IO
100 G
Ω
参数 测试 情况 Part 标识 最小值 Ty p. 最大值 单位
直流 电流 转移 比率 V
CE
= 5.0 v, i
F
= 10 毫安 ILD205T CTR
直流
40 80 %
ILD206T CTR
直流
63 125 %
ILD207T CTR
直流
100 200 %
ILD211T CTR
直流
20 %
ILD213T CTR
直流
100 %
V
CE
= 5.0 v, i
F
= 1.0 毫安 ILD205T CTR
直流
13 30 %
ILD206T CTR
直流
22 45 %
ILD207T CTR
直流
34 70 %
ILD217T CTR
直流
100 120 %

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ild205t/ 206t/ 207t/211t/ 213t/ 217t 文档号码 83647 rev. 1.4, 26-oct-04 vishay 半导体 www.vishay.com 3 输出 Coupler 电流转移比率参数测试情况标识最小值 Ty p. 最大值单位集电级-发射级损坏电压 I C = 10 µ ABV CEO 70 V 发射级-集电级损坏电压 I E = 10 µ ABV ECO 7.0 V 集电级-发射级泄漏电流 V CE = 10 v, i F = 0 I CEO 5.0 50 nA 集电级-发射级电容 V CE = 0 C CE 10 pF 参数测试情况标识最小值 Ty p. 最大值单位集电级-发射级饱和电压 I F = 10 毫安, i C = 2.5 毫安 V ce(sat) 0.4 V 电容 (输入-输出) C IO 0.5 pF 分开测试电压 t = 1.0 秒. V ISO 3000 V RMS 阻抗, 输入至输出 R IO 100 G Ω 参数测试情况 Part 标识最小值 Ty p. 最大值单位直流电流转移比率 V CE = 5.0 v, i F = 10 毫安 ILD205T CTR 直流 40 80 % ILD206T CTR 直流 63 125 % ILD207T CTR 直流 100 200 % ILD211T CTR 直流 20 % ILD213T CTR 直流 100 % V CE = 5.0 v, i F = 1.0 毫安 ILD205T CTR 直流 13 30 % ILD206T CTR 直流 22 45 % ILD207T CTR 直流 34 70 % ILD217T CTR 直流 100 120 %

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