5–2
ild/q1/2/5
特性
包装 转移 特性 (各自 频道)
标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
发射级
向前 电压 V
F
1.25 1.65 V I
F
=60 毫安
反转 电流 I
R
0.01 10
µ
AV
R
=6 v
电容 c
0
25 pF V
R
=0 v, f=1 mhz
热的 阻抗, 接合面 至 含铅的 R
THJL
750
°
c/w
探测器
电容 C
CE
6.8 pF V
CE
=5 v, f=1 mhz
泄漏 电流, 集电级-发射级 I
CEO
550nAV
CE
=10 v
饱和 电压, 集电级-发射级 V
CESAT
0.25 0.4 I
CE
=1 毫安, i
B
=20
µ
一个
直流 向前 电流 增益 HFE 200 650 1800 V
CE
= 10 v, i
B
=20
µ
一个
saturated 直流 向前 电流 增益 HFE
SAT
120 400 600 V
CE
= 0.4 v, i
B
=20
µ
一个
热的 阻抗, 接合面 至 含铅的 R
THJL
500
°
c/w
标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
ild/q1
saturated 电流 转移 比率 (集电级-发射级) CTR
CESAT
75 % I
F
=10 毫安, v
CE
=0.4 v
电流 转移 比率 (集电级-发射级) CTR
CE
20 90 300 % I
F
=10 毫安, v
CE
=10 v
ild/q2
saturated 电流 转移 比率 (集电级-发射级) CTR
CESAT
170 % I
F
=10 毫安, v
CE
=0.4 v
电流 转移 比率 (集电级-发射级) CTR
CE
100 200 500 % I
F
=10 毫安, v
CE
=10 v
ild/q5
saturated 电流 转移 比率 (集电级-发射级) CTR
CESAT
100 % I
F
=10 毫安, v
CE
=0.4 v
电流 转移 比率 (集电级-发射级) CTR
CE
50 130 400 % I
F
=10 毫安, v
CE
=10 v
分开 和 绝缘
一般 模式 拒绝, 输出 高 C
MH
5000 v/
µ
sV
CM
=50 v
p-p
, r
L
=1 k
Ω
, i
F
=0 毫安
一般 模式 拒绝, 输出 低 C
ML
5000 v/
µ
sV
CM
=50 v
p-p
, r
L
=1 k
Ω
, i
F
=10 毫安
一般 模式 连接 电容 C
CM
0.01 pF
包装 电容 C
IO
0.8 pF V
IO
=0 v, f=1 mhz
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