绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
反转 电流 20 毫安
向前 电流 10 毫安
最大 输出 电压
(lm4051-adj) 15V
电源 消耗 (t
一个
= 25˚c) (便条 2)
M3 包装 280 mW
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度
M3 包装
Vapor 阶段 (60 秒) +215˚C
Infrared (15 秒) +220˚C
静电释放 Susceptibility
人 身体 模型 (便条 3) 2 kV
机器 模型 (便条 3) 200V
看 一个-450 “Surface 挂载 方法 和 它们的 效应
在 产品 Reliability” 为 其它 方法 的 焊接
表面 挂载 设备.
运行 比率
(注释 1, 2)
温度 范围 (t
最小值
≤
T
一个
≤
T
最大值
)
工业的 温度 范围 −40˚C
≤
T
一个
≤
+85˚C
反转 电流
lm4051-1.2 60 µA 至 12 毫安
lm4051-adj 60 µA 至 12 毫安
输出 电压 范围
lm4051-adj 1.24v 至 10V
lm4051-1.2
电的 特性
黑体字 限制 应用 为 T
一个
=T
J
=T
最小值
至 T
最大值
;
所有 其它 限制 T
一个
=T
J
= 25˚c. 这 grades 一个, B 和 C designate 最初的 re-
verse 损坏 电压 容忍 的
±
0.1%,
±
0.2% 和
±
0.5% 各自.
标识 参数 情况
典型
(便条 4)
LM4051AIM3
(限制)
(便条 5)
LM4051BIM3
(限制)
(便条 5)
LM4051CIM3
Limts
(便条 5)
单位
(限制)
V
R
反转 损坏
电压
I
R
= 100 µA 1.225 V
反转 损坏
电压
I
R
= 100 µA
±
1.2
±
2.4
±
6 mV (最大值)
容忍 (便条 6)
±
5.2
±
6.4
±
10.1
mV (最大值)
I
RMIN
最小 运行
电流
39 µA
60 60 60 µA (最大值)
65 65 65
µA (最大值)
∆
V
R
/
∆
T 平均 反转
损坏
电压 温度
系数 (便条 6)
I
R
=10mA
±
20 ppm/˚c
I
R
=1mA
±
15 ppm/˚c
I
R
= 100 µA
∆
T = −40˚C 至 125˚C
±
15
±
50
±
50
±
50
ppm/˚c
(最大值)
∆
V
R
/
∆
I
R
反转 损坏
电压
改变 和 运行
电流 改变
I
RMIN
≤
I
R
≤
1 毫安 0.3 mV
1.1 1.1 1.1 mV (最大值)
1.5 1.5 1.5
mV (最大值)
1mA
≤
I
R
≤
12 毫安 1.8 mV
6.0 6.0 6.0 mV (最大值)
8.0 8.0 8.0
mV (最大值)
Z
R
反转 动态
阻抗
I
R
= 1 毫安, f = 120 Hz 0.5
Ω
e
N
Wideband 噪音 I
R
= 100 µA 20 µV
rms
10 Hz
≤
f
≤
10 kHz
∆
V
R
反转 损坏
电压
长 期 稳固
(便条 9)
t = 1000 hrs
T = 25˚C
±
0.1˚c
I
R
= 100 µA
120 ppm
V
HYST
输出 Hysteresis
(便条 10)
∆
T = −40˚C 至 125˚C 0.36 mv/v
LM4051
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