IMN11
二极管
rev.b 1/2
切换 二极管
IMN11
z
应用
z
外部 维度
(单位 : mm)
z
地带 大小 图示
(单位 : mm)
过激 高 速 切换
SMD6
0.8min.
19
2.4
1.0min.
0.45 0.35
0.95 0.95
0.450.35
0.6
z
特性
1) 小 模型 类型. (smd6)
2) 高 可靠性
z
构建
硅 外延的 planar
z
结构
rohm : sMD6
z
taping 规格
(单位 : mm)
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
z
电的 特性
(ta=25
°
c)
标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
F
--1.2v
I
F
=100mA
I
R
--0.1µa
V
R
=70V
Ct - - 3.5 pF
V
R
=6v , f=1mhz
trr - - 4 ns
V
R
=6v , 如果=5ma , rl=50
Ω
电容 在 terminals
反转 恢复 时间
反转 电流
参数
向前 电压
JE
w
ita : sc-74
电子元件工业联合会 :s0t-457
eek 代号
1pin mark
2.9±0.2
2.8±0.2
1.9±0.2
1.6
＋0.2
－0.1
0.95 0.95
各リードとも同寸法
0～0.1
(3)
(5)
(1)
(4)
(2)
(6)
0.3～0.6
0.15±0.1
0.06
1.1±0.2
0.1
0.8±0.1
0.3±0.1
0.05
各自 含铅的 有 一样 维度
3.2±0.1
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.1
0
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ1.05min
3.2±0.1
1.35±0.1
3.2±0.1
0.3±0.1
5.5±0.20～0.5
标识 单位
V
RM
V
V
R
V
I
FM
毫安
Io 毫安
I
surge
一个
Pd mW
Tj
℃
Tstg
℃
参数
surge 电流
（
t=1us
）
(单独的) 4
nction 温度
torage 温度
限制
80
80verse 电压 (repetitive 顶峰)
150
everse 电压 (直流)
-55 至 +150
300
300
*1) 不 至 超过 200mw 每 元素.
rage 调整的 向前 电流 (单独的) 100
wer 消耗 (总的) (*1)
ard 电流 (单独的)
Re
R
Forw
Ave
Ju
Po
S
(
: 点此下载
