IMX8
晶体管
rev.一个 2/2
z
电的 特性
集电级 电流 : i
C
(毫安)
集电级 至 发射级 电压 : v
CE
(v)
图.1 地面 发射级 输出 特性
2
4
6
8
10
4 8 12 16 2
0
0
I
B
=
0
µ
一个
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
15.0
17.5
20.0
22.5
25.0
Ta
=
25
°
C
集电级 电流 : i
C
(毫安)
根基 至 发射级 电压 : v
是
(v)
图.2 地面 发射级 传播 特性
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
0.2 0.6 0.4 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
6V
集电级 电流 : i
C
(毫安)
直流 电流 增益 : h
FE
图.3 直流 电流 增益 vs. 集电级 电流
0.2 0.5
12 510
20 50
50
100
200
500
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
1V
3
V
5
V
集电级 输出 电容 : c
ob
(pf)
图.7 集电级 输出 电容
vs. 集电级-根基 电压
−
0.5 1 2 5 10 20
2
1
5
10
20
Ta
=
25
°
C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
集电级 至 根基 电压 : v
CB
(v)
发射级 输入 电容 : c
ib
(pf)
发射级 至 根基 电压 : v
EB
(v)
图.8 发射级 输入 电容
vs. 发射级-根基 电压
−
0.5 1 2 5 10 20
2
1
5
10
20
Ta
=
25
°
C
f
=
1MHz
I
C
=
0A
集电级 电流 : i
C
(毫安)
集电级 饱和 电压 : v
ce(sat)
(v)
图.5 集电级-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流 ( )
12 510
20 50
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
Ta
=
100
°
C
25
°
C
−
40
°
C
I
C
/i
B
=
10
集电级 电流 : i
E
(毫安)
转变 频率 : f
T
(mhz)
图.6 增益 带宽 产品 vs. 发射级 电流
−
0.5
−
1
−
2
−
5
−
10
−
20
−
50
100
200
500
50
V
CE
=
6V
Ta
=
25
°
C
集电级 电流 : i
C
(毫安)
集电级 饱和 电压 : v
ce(sat)
(v)
图.4 集电级-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流 ( )
12 510
20 50
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
Ta
=
25
°
C
I
C
/i
B
=
50
10
20
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