IMX9
晶体管
集电级 饱和 电压 : v
ce(sat)
(mv)
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.7 集电级-发射级 饱和
电压 vs. 集电级 电流 (
ΙΙ
)
1
2
2000
1000
200
500
100
20
50
10
5
2 5 10 20 50 100 200 5001000
I
C
/
I
B
=
25
量过的 使用
脉冲波 电流.
Ta
=
100
°
C
25
°
C
−
25
°
C
根基 饱和 电压 : v
是(sat)
(mv)
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.8 根基-发射级 饱和
电压 vs. 集电级 电流 (
Ι
)
1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000
10000
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
10
Ta
=
25
°
C
搏动
I
C
/i
B
=
10
25
50
100
1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000
10000
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
10
根基 饱和 电压 : v
是(sat)
(mv)
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.9 根基-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流 (
ΙΙ
)
量过的 使用
脉冲波 电流.
l
C
/l
B
=
10
25
°
C
100
°
C
Ta
=−
25
°
C
发射级 电流 : i
E
(毫安)
转变 频率 : f
T
(mhz)
图.10 增益 带宽 产品vs.
发射级 电流
−
1
−
2
−
5
−
10
−
20
−
50
−
100
−
200
−
500
−
1000
10000
5000
2000
500
200
1000
100
20
50
10
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
10V
量过的 使用
脉冲波 电流.
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
集电级 输出 电容 : cob
(pf)
集电级 至 根基 电压 : v
CB
(v)
图.11 集电级 输出 电容
vs. 集电级-根基 电压
100
200
500
1000
10
20
50
2
5
1
Ta
=
25
°
C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10
在 阻抗 : ron (
Ω
)
根基 电流 : i
B
(毫安)
图.12 输出-在 阻抗 vs.
根基 电流
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
Ta=25
°
C
f=1kHz
vi=100mv(
rms)
R
L
=1k
Ω
z
zz
z
ron 度量 电路
Ron
=
×
R
L
V
0
vi-v
0
R
L
=
1k
Ω
I
B
输出
V
0
输入
Vi
1kHz
100mv(rms)
V
: 点此下载
