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资料编号:405007
 
资料名称:INA-30311-TR1
 
文件大小: 75.12K
   
说明
 
介绍:
1 GHz Low Noise Silicon MMIC Amplifier
 
 


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6-141
绝对 最大 比率
绝对
标识 参数 单位 最大
[1]
V
CC
设备 电压, 至 地面 V 12
P
cw rf 输入 电源 dBm +13
T
j
接合面 温度
°
C 150
T
STG
存储 温度
°
C -65 至 150
ina-30311 电的 规格
[3]
, t
C
= 25
°
c, z
O
= 50
, v
CC
= 3 v
标识 参数 和 测试 情况 单位 最小值 典型值 最大值
G
p
电源 增益 (|s
21
|
2
) f = 900 mhz dB 11 13
NF 噪音 图示 f =900 mhz dB 3.5
P
1dB
输出 电源 在 1 db 增益 压缩 f =900 mhz dBm -11
IP
3
第三 顺序 intercept 要点 f =900 mhz dBm -2
VSWR 输入 vswr f =900 mhz 1.7
I
cc
设备 电流 毫安 6.3 7.5
ι
d
组 延迟 f =900 mhz ps 325
ina-30311 典型 scattering 参数
[3]
, t
C
= 25
°
c, z
O
= 50
, v
CC
= 3 v
freq. S
11
S
21
S
12
S
22
K
GHz Mag Ang dB Mag Ang dB Mag Ang Mag Ang 因素
0.05 0.09 -1 16.12 6.40 -6 -38.1 0.012 2 0.57 -1 4.35
0.10 0.09 -2 16.11 6.39 -12 -38.2 0.012 4 0.56 -3 4.43
0.20 0.10 -6 16.12 6.40 -25 -38.4 0.012 8 0.56 -7 4.41
0.30 0.13 -16 16.14 6.41 -38 -38.9 0.011 13 0.55 -11 4.83
0.40 0.16 -29 16.07 6.36 -52 -39.4 0.011 19 0.54 -14 4.88
0.50 0.18 -42 15.90 6.24 -66 -40.1 0.010 27 0.52 -18 5.60
0.60 0.21 -59 15.56 6.00 -81 -40.7 0.009 40 0.50 -20 6.58
0.70 0.22 -75 15.04 5.65 -95 -40.7 0.009 57 0.47 -23 7.26
0.80 0.24 -92 14.34 5.21 -109 -39.6 0.011 74 0.46 -24 6.49
0.90 0.25 -107 13.44 4.70 -122 -37.6 0.013 86 0.44 -24 6.23
1.00 0.26 -122 12.53 4.23 -135 -35.5 0.017 94 0.43 -25 5.35
1.20 0.27 -144 10.50 3.35 -155 -32.3 0.024 100 0.42 -26 4.83
1.40 0.27 -162 8.50 2.66 -173 -29.6 0.033 101 0.42 -27 4.43
1.60 0.27 -177 6.69 2.16 172 -27.5 0.042 100 0.42 -28 4.31
1.80 0.27 173 5.01 1.78 159 -25.7 0.052 99 0.42 -30 4.22
2.00 0.27 163 3.58 1.51 147 -24.1 0.062 97 0.42 -32 4.17
2.20 0.27 156 2.35 1.31 136 -22.5 0.075 95 0.42 -35 3.97
2.40 0.26 150 1.21 1.15 126 -21.4 0.085 92 0.41 -37 4.04
2.50 0.26 147 0.75 1.09 122 -20.9 0.091 91 0.41 -39 3.99
便条:
3. 涉及 平面 每 图示 9 在 产品 信息 部分.
热的 阻抗
[2]
:
θ
j-c
= 550
°
c/W
注释:
1. 运作 的 这个 设备 在之上 任何 一个
的 这些 限制 将 导致 永久的
损坏.
2. t
C
= 25
°
c (t
C
是 定义 至 是 这
温度 在 这 包装 管脚 在哪里
联系 是 制造 至 这 电路 板).
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