C
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INT100
5
一般 电路 运作
observed. 这 顺序 的 信号 应用
应当 是 v
DD
, 逻辑 信号, 和 然后
hv+. v
DD
应当 是 有提供的 从 一个
低 阻抗 电压 源.
这 输出 returns (hs rtn 和 ls
rtn) 是 分开的 从 一个 另一 用
这 内部的 高-电压 场效应晶体管 水平的
shifters. 这 水平的 变换 电路系统 是
设计 至 运作 合适的 甚至 当
这 hs rtn swings 作 更 作 5 v
在下 这 ls rtn 管脚 和 v
DDH
片面的
在 15 v. 这 int100 将 也 safely
tolerate 更多 负的 电压 (作 低
作 -v
DDH
在下 ls rtn).
最大 频率 的 运作 是
限制 用 电源 消耗 预定的 至 高-
电压 切换, 门 承担, 和 偏差
电源. 图示 5 indicates 这 最大
切换 频率 作 一个 函数 的
输入 电压 和 门 承担. 为 高等级的
包围的 温度, 这 切换
频率 应当 是 derated 成直线地.
一个 阶段 的 一个 三-阶段 发动机 驱动
电路 是 显示 在 图示 4 至 illustrate
一个 应用 的 这 int100. 这 ls
在 信号 直接地 控制 场效应晶体管
q1. 这
hs 在
信号 控制 场效应晶体管
q2 通过 这 高 电压 水平的 变换
晶体管 communicating 和 这 高-
一侧 驱动器. 这 int100 将 ignore
输入 信号 那 将 command 两个都
q1 和 q2 至 conduct 同时发生地,
protecting 相反 shorting 这 hv+ 总线
至 hv-.
local bypassing 为 这 低-一侧 驱动器
是 提供 用 c1. 自举 偏差 为 这
高-一侧 驱动器 是 提供 用 d1 和
c2. 回转 比率 和 影响 的 parasitic
振动 在 这 加载 波形 是
控制 用 电阻器 r1 和 r2.
这 输入 是 设计 至 是 兼容
和 5 v cmos 逻辑 水平 和 应当
不 是 连接 至 v
DD
. 正常的 cmos
电源 供应 sequencing 应当 是
这 自举 电容 必须 是 大
足够的 至 提供 偏差 电流 在 这
全部 在-时间 的 这 高-一侧 驱动器
没有 重大的 电压 sag 或者 decay.
这 高-一侧 场效应晶体管 门 承担
必须 也 是 有提供的 在 这 desired
切换 频率. 图示 6 显示
这 最大 高-一侧 在-时间 相比
门 承担 的 这 外部 场效应晶体管.
产品 和 极其 长 高-
一侧 在 时间 需要 特定的 技巧
discussed 在 一个-10.
这 高-一侧 驱动器 是 latched 在 和
止 用 这 edges 的 这 适合的 低-
一侧 逻辑 信号. 这 高-一侧 驱动器
将 获得 止 和 停留 止 如果 这 自举
电容 discharges 在下 这
欠压 lockout 门槛.
欠压 lockout-induced 转变 止
能 出现 在 情况 此类 作
电源 ramp 向上, 发动机 开始, 或者 低 速
运作.
图示 6. 高-一侧 在 时间 相比 自举 电容.
1000
0.1
0.01
0.01 0.1 1 10 100
高 一侧 在 时间 (ms)
自举 电容 (
µ
f)
C
自举
vs. 在 时间
1
100
pi-566b-030692
10
Q
G
= 20 nc
Q
G
= 100 nc
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