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资料编号:406045
 
资料名称:IPB05N03LA
 
文件大小: 348.03K
   
说明
 
介绍:
OptiMOS 2 Power-Transistor
 
 


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IPB05N03LA
ipi05n03la, ipp05n03la
参数 标识 情况 单位
最小值 典型值 最大值
D
ynamic 特性
输入 电容
C
iss
- 2338 3110 pF
输出 电容
C
oss
- 993 1320
反转 转移 电容
C
rss
- 143 215
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
-1217ns
上升 时间
t
r
-2638
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
-3045
下降 时间
t
f
- 6.0 9
门 char
ge 特性
5)
门 至 源 承担
Q
gs
- 8 11 nC
门 承担 在 门槛
Q
g(th)
- 3.7 5.0
门 至 流 承担
Q
gd
-69
切换 承担
Q
sw
-1014
门 承担 总的
Q
g
-1925
门 plateau 电压
V
plateau
- 3.4 - V
门 承担 总的, 同步. 场效应晶体管
Q
g(同步)
V
DS
=0.1 v,
V
GS
=0 至 5 v
-1622nc
输出 承担
Q
oss
V
DD
=15 v,
V
GS
=0 v
-2128
反转 二极管
二极管 continous 向前 电流
I
S
- - 80 一个
二极管 脉冲波 电流
I
s,脉冲波
- - 385
二极管 向前 电压
V
SD
V
GS
=0 v,
I
F
=80 一个,
T
j
=25 °c
- 0.97 1.2 V
反转 恢复 承担
Q
rr
V
R
=15 v,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=400 一个/µs
- - 10 nC
5)
看 图示 16 为 门 承担 参数 定义
T
C
=25 °c
V
GS
=0 v,
V
DS
=15 v,
f
=1 mhz
V
DD
=15 v,
V
GS
=10 v,
I
D
=20 一个,
R
G
=2.7
V
DD
=15 v,
I
D
=40 一个,
V
GS
=0 至 5 v
rev. 1.3 页 3 2003-12-18
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