IPS022G
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图示 16 - 瞬时 热的 imped. (
o
c/w)
vs 时间 (s)
0.01
0.1
1
10
100
rth 1 场效应晶体管 起作用的
rth 2 m osfets起作用的
单独的 脉冲波
图示 14 - ids (一个) vs 保护 resp. 时间 (s)图示 13 - 最大值.内容. ids (一个)
vs amb. 温度 (
o
c)
0
1
2
3
4
5
-50 0 50 100 150 200
标准. footprint 127°c/w
1 m osfet 在
标准. footprint 100°c/w
2 mosfets 在
1
10
100
t=25°c 标准. footprint
t=100°c 标准 footprint
图示 15 - iclamp (一个) vs inductive 加载 (mh)
0.1
1
10
0.01 0.1 1 10 100
单独的脉冲波
100 hz rth=100°c/w dt=25°c
1kHzrth=100°c/w dt=25°c
vbat = 14 v
tjini = t sd 为 单独的 脉冲波
所有 曲线 为 1 场效应晶体管 起作用的
电流 path 能力 应当
是 在之上 这个 曲线
加载 典型的 应当
是 在下 这个 曲线
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