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资料编号:406247
 
资料名称:IPS511G
 
文件大小: 182.03K
   
说明
 
介绍:
FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH
 
 


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ips511g/ips512g
www.irf.com 9
图示 14 - eon, eoff (µj) vs i (一个)
resistive 加载
0
200
400
600
0123
Eo n
Eo f f
0.1
1
10
100
1000
10000
1E+01
1E+02
1E+03
1E+04
1E+05
1E+06
i=imax vs induct.(看 fig.10)
i=1.5a
图示 15 - e
在 (
µ
j)
vs 加载 电感
(
µ
h)
(看 图. 3)
0
25
50
75
100
125
150
0123
Diag 在 blanking
diag 止 blanking
图示 16 - diag blanking 时间 (
µ
s) vs i
输出
(一个)
(resistive 加载 - 看 图. 6)
1.00e-06
1.00e-05
1.00e-04
1.00e-03
0 5 10 15 20 25 30 35
图示 17 - i
cc (毫安)
vs v
cc
(v)
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