首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:406251
 
资料名称:IPS5451
 
文件大小: 196.59K
   
说明
 
介绍:
FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH
 
 


: 点此下载
  浏览型号IPS5451的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号IPS5451的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号IPS5451的Datasheet PDF文件第3页
3

4
浏览型号IPS5451的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号IPS5451的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号IPS5451的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号IPS5451的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号IPS5451的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ips5451/ips5451s
4 www.irf.com
函数的 块 图解
所有 值 是 典型
切换 电的 特性
V
cc
= 14v, resistive 加载 = 1
, t
j
= 25
o
c, (除非 否则 指定).
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 Test 情况
Td
转变-在 延迟 时间
5
20
T
r1
上升 时间 至 v
输出
= v
cc
- 5v
4
20
T
r2
上升 时间 从 这 终止 的 tr1
至 v
输出
= 90% 的 v
cc
65
150
d
v/dt (在)
转变 在 d
v/dt
3
6
v/
µ
s
E
转变 在 活力
3
mJ
Td
转变-止 延迟 时间
65
150
T
f
下降 时间 至 v
输出
= 10% 的 v
cc
8
20
d
v/dt (止)
转变 止 d
v/dt
5
10
v/
µ
s
E
转变 止 活力
0.75
mJ
看 图示 3
µ
s
µ
s
看 图示 4
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 Test情况
s
T
sd+
在-温度 积极的 going 门槛
165
o
C 看 图. 2
T
sd-
在-温度 负的 going 门槛 158
o
C 看 图. 2
I
sd
在-电流 门槛 22 35 50 一个 看 图. 2
I
打开 加载
打开 加载 发现 门槛 0.3 1 2 一个
T
重置
最小 时间 至 重置 protections 50 V
= 0v
保护 特性
µ
s
T
dg
blanking 时间 在之前 considering dg —
7
100
µ
s 部分 转变 在 和 vin =5v
2.0 v
2.6 v
+
-
S
R
Q
水平的
变换
驱动器
承担
打气
35 一个
T
j
158°C
VCC
50V
温度
电流
VOUT
DG
5.5v
5.5v
62 v
165°C
40
200 k
4.2 v
4.5 v
+
-
下面 电压
锁 输出
打开 加载
22 mv
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com