特性
•
floating 频道 设计 为 自举 运作
全部地 运算的 向上 至 +200v
tolerant 至 负的 瞬时 电压, dv/dt 不受影响
•
门 驱动 供应 范围 从 10v 至 20v
•
独立 低 和 高 一侧 途径
•
输入 logichin/lin 起作用的 高
•
欠压 lockout 为 两个都 途径
•
3.3v 和 5v 输入 逻辑 兼容
•
cmos 施密特-triggered 输入 和 拉-向下
•
matched 传播 延迟 为 两个都 途径
•
8-含铅的 soic 是 也 有 含铅的-自由 (pbf)
包装
高 和 低 一侧 驱动器
产品 summary
V
补偿
200v 最大值
I
O
+/- 1.0a /1.0a 典型值
V
输出
10 - 20v
t
开关
80 &放大; 60 ns 典型值
延迟 相一致 20 ns 最大值
ir2011(
s) &放大; (pbf
)
www.irf.com 1
典型 连接
(谈及 至 含铅的 assignments 为 准确无误的 配置). 这个/这些 图解(s) 显示 电的 连接 only. 请
谈及 至 我们的 应用 注释 和 designtips 为 恰当的 电路 板 布局.
数据 薄板 非.pd60217 rev 一个
产品
•
音频的 类 d 放大器
•
高 电源 直流-直流 smps 转换器
•
其它 高 频率 产品
描述
这 ir2011 是 一个 高 电源, 高 速 电源 场效应晶体管 驱动器 和 独立 高
和 低 一侧 关联 输出 途径, 完美的 为 音频的 类 d 和 直流-直流 转换器
产品. 逻辑 输入 是 兼容 和 标准 cmos 或者 lsttl 输出, 向下
至 3.0v 逻辑. 这 输出 驱动器 特性 一个 高 脉冲波 电流 缓存区 平台 设计 为
最小 驱动器 交叉-传导. 传播 延迟 是 matched 至 使简化 使用 在
高 频率 产品. 这 floating 频道 能 是 使用 至 驱动 一个 n-频道
电源 场效应晶体管 在 这 高 一侧 配置 这个 运作 向上 至 200 伏特. propri-
etary hvic 和 获得 不受影响 cmos 科技 使能 加固 大而单一的 con-
构造.
8-含铅的 soic
IR2011S
也 有
含铅的-自由 (pbf)
8-含铅的 pdip
IR2011
200V
至
加载
V
CC
COM
LIN
HIN
V
S
V
B
HO
HIN
COM
V
CC
LIN
LO
18
45
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