特性
•
floating 频道 设计 为 自举 运作
全部地 运算的 至 +600v
tolerant 至 负的 瞬时 电压
dv/dt 不受影响
•
门 驱动 供应 范围 从 10 至 20v
•
欠压 lockout 为 两个都 途径
•
cmos 施密特-triggered 输入 和 拉-向下
•
matched 传播 延迟 为 两个都 途径
•
内部 设置 deadtime
•
高 一侧 输出 在 阶段 和 输入
•
也 有 含铅的-自由
典型 连接
数据 薄板 非. pd60028-m
half-桥 驱动器
产品 summary
V
补偿
600v 最大值
I
O
+/- 200 毫安 / 420 毫安
V
输出
10 - 20v
t
开关
(典型值.) 750 &放大; 150 ns
deadtime (典型值.) 650 ns
www.irf.com 1
IR2111
(
S
)
&放大;
(
PbF
)
V
CC
V
B
V
S
HO
LO
在
COM
在
向上 至 600v
至
加载
V
CC
(谈及 至 含铅的 assignments 为 准确无误的 管脚 配置). 这个/这些 图解(s) 显示 电的 连接
仅有的. 请 谈及 至我们的 应用 注释 和 designtips 为 恰当的 电路 板 布局.
描述
这 ir2111(s) 是 一个 高 电压, 高 速 电源
场效应晶体管 和 igbt 驱动器 和 依赖 高 和
低 一侧 关联 输出 途径 设计 为 half-
桥 产品. 专卖的 hvic 和 获得
不受影响 cmos 科技 使能 加固
大而单一的 构建. 逻辑 输入 是 兼容 和
标准 cmos 输出. 这 输出 驱动器 特性 一个
高 脉冲波 电流 缓存区 平台 设计 为 最小
驱动器 交叉-传导. 内部的 deadtime 是 提供
至 避免 shoot-通过 在 这 输出 half-桥. 这
floating 频道 能 是 使用 至 驱动 一个 n-频道
电源 场效应晶体管 或者 igbt 在 这 高 一侧 配置 这个 运作 向上 至 600 伏特.
包装
8-含铅的 pdip 8-含铅的 soic
: 点此下载
