厚度 的 门 oxide 800
Å
连接 材料 poly 硅
第一 宽度 4 µm
Layer 间隔 6 µm
厚度 5000Å
材料 al - si (si: 1.0% ±0.1%)
第二 宽度 6 µm
Layer 间隔 7 µm
厚度 20,000Å
联系 孔 维度 8 µm x 8 µm
绝缘 layer 材料 psg (sio
2
)
厚度 1.5 µm
Passivation 材料 psg (sio
2
)
厚度 1.5 µm
方法 的 锯 全部 截
方法 的 消逝 bond ablebond 84 - 1
线 bond 方法 thermo sonic
材料 au (1.0 mil / 1.3 mil)
引线框架 材料 Cu
消逝 范围 Ag
含铅的 镀层 铅 : sn (37 : 63)
包装 类型 8 含铅的 pdip / 所以-8
材料 eme6300 / mp150 / mp190
remarks:
设备 信息
处理 &放大; 设计 rule hvdcmos 4.0 µm
晶体管 计数 206
消逝 大小 77 x 85 x 26 (mil)
消逝 外形
至 顺序
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