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资料编号:406956
 
资料名称:IR21571S
 
文件大小: 234.63K
   
说明
 
介绍:
FULLY INTEGRATED BALLAST CONTROL IC
 
 


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IR21571
(
S
)
8 www.irf.com
供应 bypassing 和 pc 板
布局 rules
组件 选择 和 placement 在 这 pc
板 是 极其 重要的 当 使用 电源
控制 ics. v
CC
应当 是 绕过 至 com 作 关闭
至 这 ic terminals 作 可能 和 一个 低 等效串联电阻/esl
电容, 作 显示 在 图示 1 在下.
一个 rule 的 thumb 为 这 值 的 这个 绕过 电容
是 至 保持 它的 最小 值 在 least 2500 时间 这
值 的 这 总的 输入 电容 (ciss) 的 这
电源 晶体管 正在 驱动. 这个 解耦
电容 能 是 分割 在 一个 高等级的 valued
electrolytic 类型 和 一个 更小的 valued 陶瓷的 类型
连接 在 并行的, 虽然 一个 好的 质量
electrolytic (e.g., 10
µ
f) 放置 立即 调整
至 这 v
CC
和 com terminals 将 工作 好.
在 一个 典型 应用 电路, 这 供应 电压 至
这 ic 是 正常情况下 获得 用 意思 的 一个 高 值
startup 电阻 (1/4w) 从 这 调整的 线条 电压,
在 结合体 和 一个 承担 打气 从 这 输出
的 这 half-桥. 和 这个 类型 的 供应
arrangement, 这 内部的 15.6v 齐纳 clamp 二极管
从 v
CC
至 com 将 决定 这 稳步的 状态 ic
供应 电压.
连接 这 ic 地面 (com)
至 这 电源 地面
两个都 这 低 电源 控制 电路系统 和 低 一侧
门 驱动器 输出 平台 grounds 返回 至 这个 含铅的
在里面 这 ic. 这 com 含铅的 应当 是 连接 至
这 bottom 终端 的 这 电流 sense 电阻 在
这 源 的 这 低 一侧 电源 场效应晶体管 使用 一个
单独的 pc 板 查出, 作 显示 在 图示 2. 在
增加, 这 地面 返回 path 的 这 定时
组件 和 v
CC
解耦 电容 应当
是 连接 直接地 至 这 ic com 含铅的, 和 不
通过 独立的 查出 或者 跳越者 至 其它 地面 查出
在 这 板.
这个 连接 技巧 阻止 高 电流
地面 循环 从 interfering 和 这 敏感的 定时
组件 运作, 和 准许 这 全部 控制
电路 至 reject 一般模式 噪音 预定的 至 输出
切换.
描述 的 运作 &放大; 组件 选择 tips
图示 1: 供应 bypassing pcb 布局 例子
图示 2: com 含铅的 连接 pcb 布局 例子
C
VCC
(表面 挂载)
D
激励
(表面 挂载)
C
激励
(表面 挂载)
C
VCC
(通过 孔)
管脚 1
IR21571
C
VCC
(表面 挂载)
C
VCC
(通过 孔)
IR21571
管脚 1
定时
组件
V
总线
返回
R
CS
(通过 孔)
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