IR51HD420
动态 电的 特性
V
偏差
(v
CC
, v
B
) = 12v 除非 否则 指定.
参数 T
一个
= 25ºc
标识 定义 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
t
rr
反转 恢复 时间 (场效应晶体管 身体 二极管) --- 240 --- ns I
F
= 700ma
Q
rr
反转 恢复 承担 (场效应晶体管 身体 二极管) --- 0.7 --- µC di/dt = 100a/µs
DT deadtime, ls 转变-止 至 hs 转变-在 &放大;
hs 转变-止 至 ls 转变-在
--- 1.2 --- µs
DR
T
职责 循环 --- 50 --- % f
OSC
= 20 khz
静态的 电的 特性
V
偏差
(v
CC
, v
B
) = 12v 除非 否则 指定.
参数 T
一个
= 25ºc
标识 定义 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
供应 特性
V
CCUV
+
V
CC
供应 欠压 积极的 going
门槛
--- 8.4 ---
V
V
CCUV
-
V
CC
供应 欠压 负的 going
门槛
--- 8.0 ---
I
QCC
安静的 v
CC
供应 电流 --- 300 --- µA
V
CLAMP
V
CC
齐纳 调往 clamp 电压 --- 15.6 --- V I
CC
= 5 毫安
floating 供应 特性
I
QBS
安静的 v
BS
供应 电流 --- 30 --- µA
I
OS
补偿 供应 泄漏 电流--- --- 50 V
B
= v
在
= 500v
振荡器 i/o 特性
f
OSC
振荡器 频率 --- 20 ---
kHz
R
T
= 35.7 k
Ω
,
C
T
= 1 nf
--- 100 ---
R
T
= 7.04 k
Ω
,
C
T
= 1 nf
I
CT
C
T
输入 电流 --- 0.001 1.0 µA
V
CTUV
C
T
Undervoltage lockout --- 100 --- 2.5v < v
CC
< v
CCUV
+
V
RT
+
R
T
高 水平的 输出 电压, v
CC
- r
T
---20--- I
RT
= -100 µa
--- 200 --- mV I
RT
= -1 毫安
V
RT
-
R
T
低 水平的 输出 电压 ---20--- I
RT
= 100 µa
--- 200 --- I
RT
= 1 毫安
V
RTUV
R
T
欠压 lockout, v
CC
- r
T
--- 100 --- 2.5v < v
CC
< v
CCUV
+
V
CT
+
2/3 v
CC
门槛 --- 8.0 --- V
V
CT
-
1/3 v
CC
门槛 --- 4.0 ---
输出 特性
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 --- 3.0 ---
Ω
I
D
= 500ma
V
SD
二极管 向前 电压 --- 0.8 --- V T
j
= 150 ºc
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