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资料编号:407304
 
资料名称:IRF3708L
 
文件大小: 138.88K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=62A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irf3708/3708s/3708l
2 www.irf.com
动态 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
标识 参数 典型值 最大值 单位
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
–––
213 mJ
I
AR
avalanche 电流
–––
62 一个
avalanche 特性
S
D
G
二极管 特性
62
248
一个
标识
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
g
fs
向前 跨导 49
––– –––
SV
DS
= 15v, i
D
= 50a
Q
g
总的 门 承担
–––
24
–––
I
D
= 24.8a
Q
gs
门-至-源 承担
–––
6.7
–––
nC V
DS
= 15v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
–––
5.8
–––
V
GS
= 4.5v
Q
oss
输出 门 承担
–––
14 21 V
GS
= 0v, i
D
= 24.8a, v
DS
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
7.2
–––
V
DD
= 15v
t
r
上升 时间
–––
50
–––
I
D
= 24.8a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
17.6
–––
R
G
= 0.6
t
f
下降 时间
–––
3.7
–––
V
GS
= 4.5v
C
iss
输入 电容
–––
2417
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
707
–––
V
DS
= 15v
C
rss
反转 转移 电容
–––
52
–––
pF
ƒ
= 1.0mhz
V
SD
二极管 向前 电压
标识
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
–––
0.88 1.3 V T
J
= 25
°
c, i
S
= 31a, v
GS
= 0v
–––
0.80
–––
T
J
= 125
°
c, i
S
= 31a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间
–––
41 62 ns T
J
= 25
°
c, i
F
= 31a, v
R
=20V
Q
rr
反转 恢复 承担
–––
64 96 nC di/dt = 100a/µs
t
rr
反转 恢复 时间
–––
43 65 ns T
J
= 125
°
c, i
F
= 31a, v
R
=20V
Q
rr
反转 恢复 承担
–––
70 105 nC di/dt = 100a/µs
静态的 @ t
J
= 25
°
c (除非 否则 指定)
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 30
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
= 250µa
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
0.028
–––
v/
°
c 涉及 至 25
°
c, i
D
= 1ma
–––
8 12.0 V
GS
= 10v, i
D
= 15a
–––
9.5 13.5 m
V
GS
= 4.5v, i
D
= 12a
–––
14.5 29 V
GS
= 2.8v, i
D
= 7.5a
V
gs(th)
门 门槛 电压 0.6
–––
2.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
––– –––
20
µA
V
DS
= 24v, v
GS
= 0v
––– –––
100 V
DS
= 24v, v
GS
= 0v, t
J
= 125
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
200 V
GS
= 12v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
-200
nA
V
GS
= -12v
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