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资料编号:407411
 
资料名称:IRF140
 
文件大小: 22.12K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL POWER MOSFET
 
 


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图示 10. NORMALIZED 损坏
电压 vs 接合面 温度
图示 11. 电容 vs 流 至 源 电压
图示 12. 跨导 vs 流 电流 图示 13. 源 至 流 二极管 电压
图示 14. 门 至 源 电压 vs 门 承担
典型 效能 曲线
(持续)
1.25
1.15
1.05
0.95
0.85
0.75
normalized 流 至 源
损坏 电压
0 40 80 120 160-40
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
I
D
= 250
µ
一个
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
c, 电容 (pf)
3000
2400
1800
1200
600
0
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
C
OSS
C
DS
+ c
GD
1
10
10
2
C
ISS
C
OSS
C
RSS
20
16
12
8
4
0
0 1020304050
I
D
, 流 电流 (一个)
g
fs
, 跨导 (s)
V
DS
50V
80
µ
s 脉冲波 测试
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
0 0.6 1.2 1.8 2.4 3.0
10
3
10
2
10
1
V
SD
, 源 至 流 电压 (v)
I
SD
, 源 至 流 电流 (一个)
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
20
16
12
8
4
0
0 1224364860
Q
g(tot)
, 总的 门 承担 (nc)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
D
= 28a
V
DS
= 80v
V
DS
= 50v
V
DS
= 20v
IRF140
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