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资料编号:407444
 
资料名称:IRF2807S
 
文件大小: 134.58K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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irf2807s/irf2807l
4 www.irf.com
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0 40 80 120 160
0
4
8
12
16
20
q , 总的 门 承担 (nc)
v , 门-至-源 电压 (v)
G
GS
为 测试 电路
看 图示
I =
D
13
43A
V =15V
DS
V =37V
DS
V =60V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
v ,源-至-流 voltage (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
v = 0 v
GS
t = 25 c
J
°
t = 175 c
J
°
1 10 100
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
c, 电容(pf)
Coss
Crss
Ciss
V
GS
= 0v, f = 1 mhz
C
iss
= c
gs
+ c
gd
, c
ds
短接
C
rss
= c
gd
C
oss
= c
ds
+ c
gd
1 10 100 1000
V
DS
, 流-tosource 电压 (v)
1
10
100
1000
I
D
, 流-至-源 电流 (一个)
tc = 25
°
C
tj = 175
°
C
单独的 脉冲波
1msec
10msec
运作 在 这个 范围
限制 用 r
DS
(在)
100µsec
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