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控制 场效应晶体管
P
丧失
= p
传导
+ p
切换
+ p
驱动
+ p
输出
这个 能 是 expanded 和 近似 用;
P
丧失
=
I
rms
2
×
R
ds(在 )
()
+
I
×
Q
gd
i
g
×
V
在
×
f
⎛
⎝
⎜
⎞
⎠
⎟
+
I
×
Q
gs 2
i
g
×
V
在
×
f
⎛
⎝
⎜
⎞
⎠
⎟
+
Q
g
×
V
g
×
f
()
+
Q
oss
2
×
V
在
×
f
⎛
⎝
⎞
⎠
同步的 场效应晶体管
这 电源 丧失 等式 为 q2 是 近似
用;
P
丧失
=
P
传导
+
P
驱动
+
P
输出
*
P
丧失
=
I
rms
2
×
R
ds(在)
()
+
Q
g
×
V
g
×
f
()
+
Q
oss
2
×
V
在
×
f
⎛
⎝
⎜
⎞
⎠
+
Q
rr
×
V
在
×
f
( )
*dissipated primarily 在 q1.
为 这 同步的 场效应晶体管 q2, r
ds(在)
是 一个 im-
portant 典型的; 不管怎样, once 又一次 这 im-
portance 的 门 承担 必须 不 是 overlooked 自从
它 impacts 三 核心的 areas. 下面 明亮的 加载 这
场效应晶体管 必须 安静的 是 转变 在 和 止 用 这 con-
trol ic 所以 这 门 驱动 losses 变为 更 更多
重大的. secondly, 这 输出 承担 q
oss
和 re-
verse 恢复 承担 q
rr
两个都 发生 losses 那
是 transfered 至 q1 和 增加 这 消耗 在
那 设备. thirdly, 门 承担 将 impact 这
mosfets’ susceptibility 至 cdv/dt 转变 在.
这 流 的 q2 是 连接 至 这 切换 node
的 这 转换器 和 因此 sees transitions 是-
tween 地面 和 v
在
. 作 q1 转变 在 和 止 那里 是
一个 比率 的 改变 的 流 电压 dv/dt 这个 是 ca-
pacitively 结合 至 这 门 的 q2 和 能 induce
一个 电压 尖刺 在 这 门 那 是 sufficient 至 转变
这 场效应晶体管 在, 结果 在 shoot-通过 电流 .
这 比率 的 q
gd
/q
gs1
必须 是 使减少到最低限度 至 减少 这
潜在的 为 cdv/dt 转变 在.
电源 场效应晶体管 选择 为 非-分开的 直流/直流 转换器
图示 一个: q
oss
典型的
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