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资料编号:407491
 
资料名称:IRF230
 
文件大小: 69.65K
   
说明
 
介绍:
8.0A and 9.0A, 150V and 200V, 0.4 and 0.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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图示 6. 饱和 特性 图示 7. 转移 特性
便条: 加热 效应 的 2
µ
s 脉冲波 是 minimal.
图示 8. 流 至 源 在 阻抗 vs 门
电压 和 流 电流
图示 9. normalized 流 至 源 在
阻抗 vs 接合面 温度
图示 10. normalized 流 至 源 损坏
电压 vs 接合面 温度
图示 11. 电容 vs 流 至 源 电压
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
10
8
6
0
4
123405
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
2
80
µ
s 脉冲波 测试
4.0v
V
GS
= 5.0v
6V
10V
8V
9V
7V
10
0
123405
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
2
4
V
DS
> i
d(在)
x r
ds(在)最大值
80
µ
s 脉冲波 测试
125
o
C
25
o
C
67
6
8
-55
o
C
I
D
, 流 电流 (一个)
10 20 30040
0.8
0.6
0
r
ds(在)
, 流 至 源
V
GS
= 20v
80
µ
s 脉冲波 测试
0.2
V
GS
= 10v
在 阻抗 (
)
2.2
1.4
0.6
060-60
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
I
D
= 3.5a
1.8
1.0
0.2
-40 -20 20 40 80 100 140120
V
GS
= 10v
在 阻抗
1.25
1.05
0.85
0 160
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
1.15
0.95
0.75
-40 40 80 120
损坏 电压
I
D
= 250
µ
一个
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
c, 电容 (pf)
2000
1600
1200
800
400
0
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
C
OSS
C
DS
+ c
GD
C
ISS
C
OSS
C
RSS
1
10
20
30
40
50
irf230, irf231, irf232, irf233
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