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资料编号:407495
 
资料名称:IRF120
 
文件大小: 68.22K
   
说明
 
介绍:
8.0A and 9.2A, 80V and 100V, 0.27 and 0.36 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs
 
 


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2-5
图示 6. 饱和 特性 图示 7. 转移 特性
图示 8. 流 至 源 在 阻抗 vs 门
电压 和 流 电流
图示 9. normalized 流 至 源 在
阻抗 vs 接合面 温度
电压 vs 接合面 温度
图示 11. 电容 vs 流 至 源 电压
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
15
12
9
6
3
0
I
D
, 流 电流 (一个)
80
µ
s 脉冲波 测试
V
GS
= 6v
V
GS
= 5v
V
GS
= 4v
V
GS
= 7v
V
GS
= 8v
V
GS
= 10v
0246810
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
100
10
1
0.1
I
D
, 流 电流 (一个)
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
V
DS
50V
80
µ
s 脉冲波 测试
0 8 16 24 32 40
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
I
D
, 流 电流 (一个)
r
ds(在)
, 流 至 源 在 阻抗
80
µ
s 脉冲波 测试
V
GS
= 20v
V
GS
= 10v
3.0
2.4
1.8
1.2
0.6
0.0
normalized 流 至 源
在 阻抗
-60 0 60 120 180
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
I
D
= 9.2a
V
GS
= 10v
1.25
1.15
1.05
0.95
0.85
0.75
-60 0 60 120 180
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
损坏 电压
I
D
= 250
µ
一个
1000
800
600
400
200
0
110
100
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
c, 电容 (pf)
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
C
OSS
C
DS
+ c
GS
C
ISS
C
RSS
C
OSS
irf120, irf121, irf122, irf123
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