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资料编号:407525
 
资料名称:IRG4BC20KD-S
 
文件大小: 222.96K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irg4bc20kd-s
10 www.irf.com
10.16( .400)
RE F .
6.47(.25 5)
6.18(.24 3)
2.61(.10 3)
2.32(.09 1)
8.89( .35 0)
R E f.
- b -
1.32(.0 52)
1.22(.0 48)
2.79(.1 10)
2.29(.0 90)
1.39( .055 )
1.14 (.045 )
5.28 (.2 0 8 )
4.78( .1 8 8 )
4.69(.18 5)
4.20(.16 5)
10.54(.4 15)
10.29(.4 05)
- 一个 -
2
1 3
15.49(.610)
14.73(.580)
3X
0.93( .0 3 7)
0.69( .0 2 7)
5.08(.20 0)
3X
1.40(.0 55)
1.14(.0 45)
1.78(.07 0)
1.27(.05 0)
1.40(.055 )
M 一个 x.
注释:
1 d IM EN S IO N S 一个FT E RS OL D ER D IP.
2 dimensioning &放大; tolerancing 每 ansi y14.5m, 1982.
3 c O NTRO L LIN G D IM E NSIO N : 在 C H.
4 散热器 &放大; 含铅的 维度 做 不 包含 burrs.
0.55(.0 22)
0.46(.0 18)
0.25( .0 1 0) M B一个M
最小 推荐 footprint
11.43(.4 50)
8.89( .3 5 0 )
17.78( .7 0 0 )
3.81( .150)
2.08( .082)
2X
含铅的 assignments
1- g 一个 TE
2- d R 一个
3- s O U RC E
2.54(.1 00)
2X
D
2
pak 包装 外形

repetitive 比率: v
GE
=20v; 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度 (图示 20)
V
CC
=80%(v
CES
), v
GE
=20v, l=10µh, r
G
= 50
(图示 19)
脉冲波 宽度
80µs; 职责 因素
0.1%.
脉冲波 宽度 5.0µs, 单独的 shot.
当 挂载 在 1" 正方形的 pcb (fr-4 或者 g-10 材料 ).
为 推荐 footprint 和 焊接 技巧 谈及 至 应用 便条 #an-994.
ir world 总部:
233 kansas st., el segundo, 加利福尼亚 90245, usa 电话: (310) 252-7105
ir european regional centre:
439/445 godstone rd, whyteleafe, surrey cr3 obl, uk 电话: ++ 44 (0)20 8645 8000
ir 加拿大:
15 lincoln court, brampton, ontario l6t3z2, 电话: (905) 453 2200
ir 德国:
saalburgstrasse 157, 61350 bad homburg 电话: ++ 49 (0) 6172 96590
ir 意大利:
通过 liguria 49, 10071 borgaro, torino 电话: ++ 39 011 451 0111
ir 日本:
k&放大;h bldg., 2f, 30-4 nishi-ikebukuro 3-chome, toshima-ku, tokyo 171 tel: 81 (0)3 3983 0086
ir southeast asia:
1 kim seng promenade, 好 world city west tower, 13-11, 新加坡 237994 电话: ++65 (0)838 4630
ir 台湾:
16 fl. suite d. 207, 秒. 2, tun haw 南 road, taipei, 10673 tel: 886-(0)2 2377 9936
数据 和 规格 主题 至 改变 没有 注意. 10/00
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